Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: charakterystyki C-U

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Analiza wpływu parametrów kanału SiGe na charakterystyki C-U kondensatora MOS

Łukasiak L., Jakubowski A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2005

Vol. 46, nr 2-3

57-58

Zbadano wpływ parametrów kanału SiGe (zawartość Ge, grubość warstwy SiGe) na charakterystyki C-U kondensatora MOS za pomocą symulacji z użyciem pakietu ATLAS/BLAZE oraz nowego modelu niskoczęstotliwościowej pojemności badanej struktury.

The influence of SiGe channel parameters (Ge content and SiGe layer thickness) on the C-V characteristics of a MOS capacitor is investigated using ATLAS/BLAZE simulations and a new model of LF capacitance of the considered structure.