Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Przegląd Elektrotechniczny

1 2024

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!
Sesja wygasła!
Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: charakterystyka termometryczna

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Wpływ rozrzutu technologicznego parametrów tranzystorów MOS mocy na dokładność pomiaru ich rezystancji termicznej

Posobkiewicz Krzysztof, Górecki Krzysztof

Przegląd Elektrotechniczny

2024

R. 100, nr 10

195--198

W pracy przedstawiono wyniki badań ilustrujących wpływ rozrzutu technologicznego parametrów tranzystorów MOS mocy na błąd pomiaru ich rezystancji termicznej przy wykorzystaniu pośredniej metody elektrycznej. W charakterze parametru termoczułego wykorzystano napięcie bramka-źródło. Badania przeprowadzono na próbie 18 tranzystorów MOS mocy wybranych losowo z jednej partii produkcyjnej. Zmierzono charakterystyki termometryczne każdego z tranzystorów oraz wyznaczono współczynniki funkcji aproksymujących te charakterystyki. Wyznaczono wartości rezystancji termicznej z wykorzystaniem zarówno liniowej, jak i kwadratowej funkcji aproksymującej oraz parametrów tych funkcji uzyskanych dla różnych egzemplarzy badanych tranzystorów. Określono błąd pomiaru wartości napięcia bramka-źródło na uzyskaną wartość rezystancji termicznej związany z rozrzutem technologicznym.

In the paper the results of investigation illustrating the influence of the technological spread the parameters of power MOS transistors on the measurement error of their thermal resistance using the indirect electrical method are presented. As a thermosensitive parameter the gate source voltage was selected. The investigation was carried out on the sample of 18 power MOS transistors randomly chosen from the same production batch. The thermometric characteristics each of the transistors were measured and the coefficients of the functions approximating these characteristics were calculated for all transistors using linear and quadratic approximating function. The measurement error related with the technological spread of the value of the gate-source voltage on the value of the thermal resistance was calculated.