The effect of tunnel leakage through the insulator layer in metal-insulator-semiconductor structure on its small-signal admittance is investigated by means of a theoretical model. The conclusions are reviewed on example of experimental Al-SiO2-Si structures.
PL
Wpływ prądu upływu tunelowego przez warstwę izolatora w strukturze metal-izolator-półprzewodnik na małosygnałową admitancję struktury jest badany z wykorzystaniem teoretycznego modelu. Wnioski są weryfikowane na podstawie doświadczalnych struktur Al-SiO2-Si.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.