Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: charakterystyka stałoprądowa

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Method and measurement system for dc characteristics measurement of power diodes in very wide current range

Cichosz J., Szewczyk A., Stawarz-Graczyk B.

Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej

2012

Nr 31

41-44

The new measurement set-up of DC characteristics of power diodes measurements was presented. Authors proposed to organize measurements in a pulse manner, because in typical method junction temperature of power diodes under test during measurements increase. The system elaborated on the base of method for measuring DC in a very wide current range which utilizes modified R-2R resistor ladder (short-circuit keys instead of switching keys) was constructed. The measurement system is controlled by the computer with LabView application that allows to apply measurement procedure in a very short time.

W artykule przedstawiono nowy układ pomiarowy do pomiarów stałoprądowych charakterystyk diod. Autorzy zaproponowali układ do pomiarów impulsowych w celu zachowania niezależności wyników od zmian temperatury diody. Do wytworzenia odpowiednio dużej liczby punktów pomiarowych wartości prądu wykorzystano układ zmodyfikowanej drabinki R-2R) z pojedynczymi kluczami sterującymi. Do sterowania system pomiarowym wykorzystano specjalnie opracowaną aplikację w środowisku LabView.

Effect of illumination on noise of silicon solar cells

Vanek J., Chobola Z., Hasse L.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2004

Vol. 45, nr 5

16-17

Przeprowadzono badania eksperymentalne charakterystyk stałoprądowych i właściwości szumowych krzemowych ogniw słonecznych spolaryzowanych w kierunku przewodzenia jak i zaporowym, zarówno bez oświetlenia jak i przy oświetleniu. Stwierdzono zmiany właściwości ogniw wskutek oświetlenia spowodowane modyfikacją rezystancji dynamicznej złącza PN oraz występowaniem składowych szumów 1/f i generacyjno-rekombinacyjnych.

Transport and noise properties of silicon solar cells in darkness and under illumination have been studied. The measurements were carried out for both reverse and forward bias of the device. The changes in the sample behaviour are due to the variation of PN junction dynamic resistance and, also, the occurence of both 1/f and generation-recombination noise components.