Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Parameter determination of a solar cell model using differential evolution algorithm

Sredenšek Klemen, Seme Sebastijan

Przegląd Elektrotechniczny

|

2019

|

R. 95, nr 1

165--168

EN

This paper deals with determination of a double diode model parameters using the differential evolution algorithm. The importance of this method is the implementation of ohmic and shadow losses. Performance of the proposed approach shows high potential as a promising determination method for solar cell parameters.

PL

Przedmiotem artykułu jest określenie parametrów modelu z podwójną diodą przy wykorzystaniu ewolucyjnego algorytmu różniczkowego. Ważność tej metody tkwi w implementacji strat omowych i strat z zacienienia. Działanie zaproponowanego podejścia pokazuje jego duże możliwości w wyznaczaczaniu parametrów modułu fotowoltaicznego.

2

Influence of external conditions on parameters of silicon solar cells

Swatowska B., Stapiński T.

Materiały Elektroniczne

|

2010

|

T. 38, nr 1

13-16

PL

Praca skupia się na badaniu wpływu zmian temperatury zewnętrznej oraz stopnia zacienienia powierzchni ogniw słonecznych na ich parametry elektryczne. Charakterystyki prądowo-napięciowe I-V ogniw słonecznych na bazie krzemu multikrystalicznego były wyznaczone przy oświetleniu AM 1.5 za pomocą urządzenia sterowanego komputerowo I-V Curve Tracer For Solar Cells Qualification. Poprzez zastosowanie elektrycznego modelu dwudiodowego, pomiary charakterystyk I-V ogniw pozwoliły określić sprawność ogniw oraz ich prąd zwarcia i napięcie obwodu otwartego. Pomiary temperaturowe przeprowadzono w zakresie od 5 do 55 °C, przy stałym i równomiernym oświetleniu całej powierzchni ogniw. Zmienny stopień zacienienia powierzchni ogniw miał bardzo istotny wpływ na ich parametry elektryczne. Obniżenie sprawności ogniw słonecznych wraz z temperaturą oraz stopniem zacienienia jest czynnikiem bardzo istotnym przy optymalizacji warunków pracy systemów fotowoltaicznych.

EN

The purpose of the work is the investigation of influence of rapid change of temperature and the shadowing of light on silicon solar cells operation. Current-voltage characteristics for multicrystalline silicon solar cells were measured by the use of computer controlled global spectrum sun simulator under an AM 1.5. The measurements of I-V characteristics allow the determination of basic electrical parameters and efficiency using the double exponential relationship from two-diode solar cells model. Temperature measurements were carried out in the temperature range from 5 to 55 °C under constant irradiance. Under changeable area of illumination of solar cells was also observed the variation of their parameters. The rate of decrease of solar cells efficiency with temperature and shadowing area are important to estimate optimal working conditions of PV systems.

3

Parametry i zastosowanie modułu słonecznego na bazie krzemowych ogniw multikrystalicznych

Swatowska B., Maziarz W., Więckowski Ł.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2010

|

Vol. 51, nr 5

29-31

PL

W pracy przedstawiono proces wytwarzania modułu słonecznego z krzemowych ogniw multikrystalicznych. Krzemowe płytki o rozmiarze 5x5 cm zostały poddane procesowi dyfuzji w celu wytworzenia złącza p-n, a następnie naniesiono na nie antyrefleksyjną warstwę TiO 2. Gotowe ogniwa połączono w moduł fotowoltaiczny składający się z 36 ogniw, który poddano dalszym badaniom. Wyznaczono charakterystyki prądowo-napięciowe I-V ogniw i modułu oraz ich parametry elektryczne. Przy oświetleniu na poziomie 1000 W/m 2 wyznaczona moc maksymalna modułu to ok. 10 W. Maksymalny prąd to 0,7 A przy napięciu układu otwartego na poziomie 19 V.

EN

In the present work, a process of development of hand-made sun module based on silicon multicrystalline cells is presented. In order to create a p-n diode junctions, on silicon wafers of type n and size 5x5 cm a diffusion of boron was performed. Then the antireflective TiO 2 layer was deposited. After a process of characterization of finished cells, 36 of them were connected into a photovoltaic module for further investigations. The I-V characteristics were gathered both for the single cells and for the whole sun module and selected electric parameters were computed. Under the irradiation at level of 1000W/ m 2, the computed maximum power of the module is about 10 W. The maximum current at open circuit voltage of 19 V is 0.7 A.

4

Inexpensive characteristics scanner of photovoltaic modules

Makowski D., Marańda W., Pijarski R.

Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji

|

2004

|

Vol. 50, z. 3

471-479

EN

Detailed performance evaluation of any photovoltaic module requires the knowledge of its I-V characteristics [5]. While photovoltaic elements are constantly getting cheaper and more commonly used, specialized measurement equipment is generally out of reach for most maintainers of small and simple PV-systems. This paper presents the construction of the stand-alone characteristics measurement system. The adopted approach, based on a typical microcontroller with the reduction of other costly elements, makes the device fast and inexpensive, yet fully functional, thus targeted towards the use in small PV systems.

PL

Dokładna anliza systemów fotowoltaicznych (PV) wymaga znajomości prądowo-napięciowych charakterystyk poszczególnych paneli. Koszty instalacji fotowoltaicznych maleją, jednakże specjalizowany sprzęt pomiarowy jest nadal bardzo kosztowny i pozostaje poza zasięgiem większości użytkowników instalacji PV. W artykule przedstawiono budowę przenośnego miernika charakterystyk I-V. Kluczowym elementem urządzenia jest sterowane obciążenie oraz układ pomiaru prądu i napięcia. W rozwiązaniu duży nacisk położono na wyeliminowanie kosztownych elementów takich jak szybki przetwornik cyfrowo-analogowy, co znacząco obniżyło koszty wykonania urządzenia, jednocześnie pozwalając na zachowanie odpowiedniej szybkości pracy oraz dokładności. Zastosowane rozwiązanie opiera się na wykorzystaniu mikrokontrolera z wbudowanym przetwornikiem A/C do pomiaru prądu płynącego przez obciążenie oraz napięcia. Sterowanie zmiennym obciążeniem (tranzystor MOS), polegające na zmianie warstości napięcia na bramce tranzystora, zrealizowano metodą integracji ładunku w pojemności. Zmianę ładunku uzyskuje się impulsami generowanymi z portu mikrokontrolera. Metoda pomiaru polega na zwiększaniu napięcia na bramce tranzystora i jednoczesnym pomiarze wartości prądu i napięcia modułu fotowoltaicznego. Dane pomiarowe dla konkretnego punktu charakterystyki są rejestrowane, dopiero wtedy, gdy różnią się od poprzednich o narzuconą wartość kroku. Podejście takie nie wymaga dokładnej znajomości napięcia sterującego obciążeniem, a jedynie możliwość jego precyzyjnego zwiększania. W celu zwiększenia szybkości działania urządzenia, po zakończeniu całego cyklu pomiarowego, pojemność tę rozładowuje się poprzez zwarcie klucza elektronicznego. Najdłuższy czas pojedyńczego pomiaru nie przekracza 1s. Miernik służy do analizy typowych modułów fotowoltaicznych o mocy 240Wp, ograniczonej ze względu na dopuszczalną moc traconą w obciążeniu. Urządzenie wykorzystuje port szeregowy do transmisji danych do komputera PC. Długość ramki danych zmienia się w zależności od liczby pomierzonych punktów charakterystyki. W artykule zamieszczono przykładowe wyniki pomiarów charakterystyk modułu SF52A Solar Fabrik o mocy 50Wp w różnych warunkach oświetlenia i częściowego zacienienia.