Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 4

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  carrier lifetime
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
EN
This paper presents experimental and theoretical dependences of the lifetime of minority carriers in n-type silicon on the intensity of its illumination. The experimental characteristics have been interpreted theoretically in the frame of Shockley Read Hall (SRH) statistics. The lifetimes of minority carriers for a low intensity of illumination were measured with the Surface Photovoltage (SPV) method while for the high intensity a Modulated Free Carrier Absorption (MFCA) method was applied. The obtained results clearly show that the experimentally obtained lifetimes of carriers can be compared only for the same conditions of illumination of the sample.
PL
Praca przedstawia doświadczalne i teoretyczne zależności czasu życia nośników mniejszościowych w krzemie typu n od natężenia światła. Charakterystyki doświadczalne zostały zinterpretowane teoretycznie w modelu Shockley Read Hall (SRH). Czasy życia nośników dla małych natężeń światła oświetlajacch próbkębyły mierzone metodą SPV podczas gdy dla dużych natężeń światła wykorzystano metodę Modulacji Absorpcji Światła na Swobodnych Nośnikach (MFCA). Uzyskane rezutaty jasno pokazują, że czasy życia uzyskane eksperymentalnie mogą być porównywane tylko dla tych samych warunków oświetlanie próbek.
EN
The paper presents experimental results of the lifetime of light induced excess carriers in the n-type silicon. The lifetimes of carriers of silicon crystals were analysed as a function of the intensity of light illuminating the sample. As a measurement method of the lifetime of carriers, the photoacoustic method in a transmission configuration with different surfaces was used. The dependence character was next analysed in the frame of the Shockley Reed Hall statistics in approximation of the light low intensity.
PL
Przedstawiono rezultaty badań ogniw słonecznych oraz krzemowych mono i multikrystalicznych płytek krzemowych wykorzystujących techniki detekcji promieniowania podczerwonego w zakresie długości fal 3-6 i 8-12 µm. Termowizyjna technika była zastosowana do wizualizacji charakterystycznych parametrów określających jakość materiałów i gotowych przyrządów. Przestrzenne rozkłady efektywnego czasu życia nośników ładunku otrzymane metodą termowizyjną konfrontowano z rezultatami uzyskanymi metodą pomiaru zaniku fotoprzewodnictwa z detekcją mikrofalową. Pokazano możliwości wykorzystania termowizyjnej techniki do ujawniania miejsc upływności złączy i rozkładu rezystancji szeregowej w ogniwach słonecznych.
EN
Solar cells and silicon mono and multicrystalline wafers were examined by technique of infrared radiation detection in the wavelength ranges of 3-6 and 6-12 µm. The thermovision technique was applied for visualisation of specific parameters that determine the quality of materials and final devices. Spatial distributions of effective carrier lifetime determined by thermovision method were correlated with results of photoconductivity decay measurements with microwave detection. Applicability of thermovision technique for delineation of junction leakage spots and distribution of series resistance in solar cells was shown.
4
Content available remote Growth and properties of MOCVD HgCdTe epilayers on GaAs substrates
EN
Growth of MOCVD Hg1-xCdxTe (HgCdTe) epilayers on GaAs substrates is described. The paper focuses on the interdiffused multilayer process (IMP). In this process, the CdTe/HgTe growth times are comparable with transition times between the phases. The non-optimum flow velocities and partial pressures that may induce poor morphology and reduce growth rate characterize the growth during transition stages. The optimum conditions for the growth of single layers and complex multilayer heterostructures have been established. One of the crucial stages of HgCdTe epitaxy is CdTe nucleation on GaAs substrate. Successful composite substrates have been obtained with suitable substrate preparation, liner and susceptor treatment, proper control of background fluxes and appropriate nucleation conditions. Due to the large mismatch between GaAs and CdTe, both (100) and (111) growth may occur. It mostly depends on substrate disorientation and preparation, nucleation conditions and growth temperature. Cd or Te substrate treatment just before growth results in (100) and (111) orientation, respectively. Generally, layers with orientation (100) show superior morphology compared to (111) but they are also characterized by hillocks. The benefits of the precursors ethyl iodine (EI) and arsine (AsH3) for controlled iodine donor doping and arsenic acceptor doping are summarized. Suitable growth conditions and post growth anneal is essential for stable and reproducible doping. In-situ anneal seems to be sufficient for iodine doping at any required level. In contrast, efficient As doping with near 100% activation requires ex-situ anneal at near saturated mercury vapours. The transport properties of HgCdTe epilayers indicate on achieving device quality material. Reproducible n- and p-type doping at the low, intermediate and high level (1015-1018 cm-3) has been achieved with stable iodine and arsenic dopants. The mobilities and carrier lifetimes achieved for extrinsically doped n-type and p-type layers follow essentially the same trends observed in state-of-the-art liquid phase epitaxy grown HgCdTe.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.