Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: carrier concentration

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Carrier concentration and in-plane mobility in both non-intentionally and Si-doped InAsSb and InAs/InAsSb type-II superlattice materials for space-based infrared detectors

Morath Christian P., Casias Lilian K., Umana-Membreno Gilberto A., Webster Preston T., Grant Perry C., Maestas Diana, Cowan Vincent M., Faraone Lorenzo, Krishna Sanjay, Balakrishnan Ganesh

Opto-Electronics Review

2023

Vol. 31, Special Issue

art. no. e144554

The sensitivity of III-V-based infrared detectors is critically dependent upon the carrier concentration and mobility of the absorber layer, and thus, accurate knowledge of each is required to design structures for maximum detector performance. Here, measurements of the bulk in-plane resistivity, in-plane mobility, and carrier concentration as a function of temperature are reported for non-intentionally doped and Si-doped mid-wave infrared InAs₀.₉₁Sb₀.₀₉ alloy and InAs/InAs₀.₆₅Sb₀.₃₅ type-II superlattice materials grown on GaSb substrates. Standard temperature- and magnetic-field-dependent resistivity and the Hall measurements on mesa samples in the van der Pauw configuration are performed, and multicarrier fitting and modelling are used to isolate transport of each carrier species. The results show that up to 5 carrier species of the surface, interface and bulk variety contribute to conduction, with bulk electron and hole mobility up to 2·10⁵ cm²/V s and 8·10³ cm²/V s, respectively and background dopant concentration levels were between 10¹⁴ and 10¹⁵ cm¯³. The in-plane mobility temperatures dependence is determined and trends of each carrier species with temperature and dose are analysed.

Hall effect test bench for temperature dependence of carrier concentration

Dyndał Katarzyna, Sobków Zbigniew, Sanetra Jerzy, Marszałek Konstanty W.

Przegląd Elektrotechniczny

2022

R. 98, nr 9

231--234

This paper presents an integrated bench for Hall effect measurements consisting of a helium cryostat placed between the electromagnet poles with a field of 0.5 T and a control and measurement system, as well as control algorithm for different operating modes. The results of measurements of majority carrier concentration by van der Pauw method in the temperature range 165 K - 300 K for indium tin oxide (ITO).

W artykule przedstawiono zintegrowane stanowisko do pomiaru efektu Hall’a składające się z helowego kriostatu umieszczonego między nabiegunnikami elektromagnesu o polu 0,5 T oraz systemu kontrolno-pomiarowego, a także algorytmu sterowania dla różnych modów pracy. Zaprezentowano wyniki pomiarów koncentracji nośników większościowych metodą van der Pauw’a w zakresie temperatur od 165 K do 300 K dla warstw tlenku indowo-cynowego (ITO).

Wyznaczanie profilu koncentracji nośników i domieszek w strukturach 2DEG na bazie GaN

Jung W., Gołaszewska K., Żytkiewicz Z. R., Sobańska M., Kłosek K.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2011

Vol. 52, nr 9

124-126

W artykule przedstawiono wyniki badań profilu koncentracji nośników i domieszek w wielowarstwowych strukturach na bazie azotku galu. Pokazano, że pomiary charakterystyk pojemnościowo-napięciowych za pomocą sondy rtęciowej dają istotne informacje o upływnosci, grubości warstw i koncentracji nośników i mogą być z powodzeniem stosowane do testowania struktur z gazem dwuwymiarowym umożliwiając wyznaczenie koncentracji nośników i domieszek.

Non-destructive method for rapid determination of carrier and dopant concentration profiles in multilayer 2DEG GaN structures is presented. Mercury probe capacitance - voltage measurements give valuable. Information on layers leakage. thickness and carrier concentration.