Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2011

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: carbonic layers

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Badania strukturalne warstw węglowych w niklowych kontaktach omowych za pomocą widzialnej i nadfioletowej spektroskopii ramanowskiej

Borowicz P., Kuchuk A., Adamus Z., Borysiewicz M., Ekielski M., Kamińska E., Piotrowska A., Latek M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2011

Vol. 52, nr 9

103-106

Trzy próbki węglika krzemu o politypie 4H (4H-SIC) pokryte następującą sekwencją warstw węgiel/nikiel/krzem/nikiel/krzem były badane za pomocą spektroskopii ramanowskiej wykorzystującej widzialne, jak również nadfioletowe wzbudzenie. Różne warunki obróbki termicznej powodują zmiany w strukturze warstwy węglowej. Badania ramanowskie skoncentrowano w zakresie przesunięcia Ramana pomiędzy 1000 cm⁻¹ a 2000 cm⁻¹, ponieważ w tym zakresie leżą najważniejsze pasma węglowe historycznie oznaczone jako G oraz D. Analiza kształtu i położenia tych pasm oraz iloraz natężeń umożliwia określenie stopnia grafityzacji warstwy węglowej Zastosowanie wzbudzenia w nadfioletowym zakresie spektralnym umożliwia analizę struktury warstwy węglowej, która tworzy się na powierzchni swobodnej krzemku niklu.

Three samples of 4H polytype of silicon carbide (4H-SiC) covered with following sequence of layers. carbon/nickel/silicon/nickel/silicon were investigated with visible (VIS) and ultraviolet (UV) micro-Raman spectroscopy Different thermal treatment of each sample result in differences of structure of carbonic layer. The range of Raman shift placed between 1000 cm⁻¹ and 2000 cm⁻¹ was taken into account because the main carbonic bands D and G are placed in this region. Analysis of the positions of these bands and their intensity ratio obtained from VIS excitation makes possible to estimate the graphitization of the carbonic layer. Application of UV excitation allowed us to analyze the carbonic layer built on the free surface of silicide layer.