Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

The sources of radiation in the short-wave range on the basis of II-VI heterolayers

Slyotov M., Slyotov A.

Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska

|

2018

|

T. 8, nr 4

4--7

EN

The possibility of obtaining zinc selenide and zinc sulfide layers of hexagonal modification by isovalent substitution method is shown. They are characterized by intensive luminescence which is formed by the dominant annihilation of bound excitons for α-ZnSe and recombination on donor-acceptor pairs for α-ZnS. The resulting radiation covers the violet wavelength range. Quantum radiation efficiency reaches η = 10–12% for α-ZnSe and η = 5–8% for α-ZnS. The radiation is characterized by high temperature stability and repeatability of characteristics and parameters.

PL

Pokazano, że możliwe jest uzyskanie heterogennych warstw selenku i siarczku cynku o modyfikacji heksagonalnej za pomocą metody izowalentnego podstawienia. Charakteryzują się one intensywną luminescencją, która powstaje w wyniku anihilacji związanych ekscytonów dla dominującego pasma α-ZnSe i rekombinacji na parach donor-akceptor w przypadku α-ZnS. Otrzymane promieniowanie pokrywa fioletowy zakres optyczny. Sprawność kwantowa promieniowania wynosi η = 10–12% dla α-ZnSe i η = 5–8% dla α-ZnS. Promieniowanie charakteryzuje się wysoką stabilnością temperaturową oraz powtarzalnością charakterystyk i parametrów.

2

Correlation between Optical and Structural Properties of Chemically deposited CdS Thin Films

Mohammed R. Y., Abduol S., Mousa A. M.

International Letters of Chemistry, Physics and Astronomy

|

2014

|

Vol. 11, iss. 2

146-158

EN

Polycrystalline Cadmium sulfide (CdS) films were deposited onto Corning glass substrates from alkaline solutions containing CdCl2, KOH, Na3C6H5O7 and CS(NH2)2 at different deposition times (10, 20, 30, 40 and 50 min), different bath temperatures and different concentration of the reactants. A comparative study was performed out on thin film via optical transmission and X-ray diffraction (XRD) measurements which reveal that the deposition time has a profound influence on the growth rate and band gap of the deposited layers. Diffraction data are used to evaluate the lattice parameter, grain size, average strain, number of crystallites per unit area and dislocation density in the film are calculated.

3

Elektrochemiczne osadzanie cienkich warstw CDS z roztworów kwaśnych

Duda M., Kowalik R., Mech K., Żabiński P.

Rudy i Metale Nieżelazne

|

2012

|

R. 57, nr 9

586-590

PL

W artykule przedstawiono wyniki badań dotyczących procesu osadzania siarczku kadmu metodą elektrochemiczną na podkładkach miedzianych. Celem pomiarów było dobranie odpowiednich parametrów procesu osadzania półprzewodnika. Doświadczenie przeprowadzono używając roztworu chlorku kadmu oraz tiosiarczanu sodu o pH = 3. Proces elektrolizy przeprowadzano w warunkach potencjostatycznych oraz stosując metodę impulsową. Pierwszy sposób nie przyniósł oczekiwanich rezultatów, natomiast zastosowanie drugiej metody zakończyło się powodzeniem. Uzyskany osad poddano analizie pierwiastkowej i fazowej, które potwierdziły obecność siarczku kadmu na podkładce miedzianej. Dodatkowo przeprowadzono obserwacje morfologii uzyskanych osadów za pomocą elektronowego mikroskopu skaningowego.

EN

This article presents results of research concerning deposition of cadmium sulfide on copper by an electrochemical method. This study was primarily designed to determine proper parameters of deposition the semiconductor. Experiment was carried out using acid aqueous solutions containing cadmium chloride and sodium thiosulfate with pH = 3. Process of electrolysis was carried out by a potentiostatic and pulse methods. The first one hasn't provided expected results whereas second one has terminated with success. The deposited coatings were investigated by phase and elementary analysis which confirmed presence of cadmium sulfide on copper. The morphology of the CdS thin films were analyzed using scanning electron microscopy.