Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: bramki MOS

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Stan obecny i perspektywy rozwojowe przyrządów energoelektronicznych

Januszewski S.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2000

Vol. 41, nr 10

12-24

Omówiono obecny stan rozwoju półprzewodnikowych przyrządów mocy od wielu lat dostępnych na rynku. Przedstawiono nowe zmodyfikowane przyrządy takie jak: tyrystory wyłączalne komutowane bramką GCT, tranzystory z bramką o wzbogaconym wstrzykiwaniu IEGT oraz nowa rodziną wysokonapięciowych tranzystorów polowych MOSFET występującą pod różnymi nazwami firmowymi (CooIMOS, suoer junction MOSFET). Przedstawiono stan obecny i dalsze tendy rozwojowe dotyczące energoelektrycznych układów scalonych. Omówiono ostatnie osiągnięcia uzyskane w konstrukcji obudów. Podano informację o nowych materiałach półprzewodnikowych, które są brane pod uwagę dla uzupełnienia krzemu w przyrządach wysokotemperaturowych.

State of the art of power semiconductor devices existing many years on the market is given. New modified devices as gate commutated turn-off thyristors (GCT), injection enhanced gate transistors (IEGT) and new family of high voltage MOSFETs with different names (CoolMOS, super junction MOSFET) are presented. State of the art and further trends dealing with power integrated ciruits are discused. Last developments in the field of device packages are given. Some information on new semiconductor materials taking into account applications in high temperature devices are presented.

Tyrystory polowe sterowane bramkami MOS

Januszewski S., Kociszewska-Szczerbik M.

Wiadomości Elektrotechniczne

1998

nr 6

354-363

Scharakteryzowano rodzaje i ogólne właściwości tyrystorów polowych.Omówiono tyrystory sterowane bramkami MOS (MCT), z przełączanym emiterem (EST) oraz sterowane rezystancją bazy (BRT). Przedstawiono zalety i wady tyrystorów polowych oraz perspektywy ich rozwoju.

Kinds and general properties of field-effect thyrystors are characterized Discussed are MOS-gate controlled thyristors (MCT), emitter-switch thyristors (EST) and base-resistance controlled thyristors (BRT). Merits and disadvantages of the field-effect thyristors as well as prospects of their future development are presented.