PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 5

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  boost converters
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Design of coupled inductor for interleaved boost converter
Kroics K., Sirmelis U., Brazis V.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2014
|
R. 90, nr 12
91--94
EN
This paper presents an analysis of coupled inductor for interleaved boost converter and the effect of coupled inductor on current ripple reduction and on load transient response time. From the analysis a ETD core based coupled inductor structure is proposed to maximize the performance of the DC-DC converter. The inductor can be designed in convenient way by using commercially manufactured coil formers and ferrite cores.
PL
W artykule zaprezentowano analizę sprzężonego dławika stosowanego w przekształtniku typu boost w celu tłumienia tętnień i poprawy stanów przejściowych. Zaproponowano strukturę typu ETD.
2
Content available DC-DC boost-flyback converter functioning as input stage for one phase low power grid-connected inwerter
Kawa A., Penczek A., Piróg S.
Archives of Electrical Engineering
|
2014
|
Vol. 63, nr 3
393--407
EN
The paper treats about main problems of one phase DC-AC microinverters that allow single solar cell to be joined with the grid. One of the issues is to achieve high voltage gain with high efficiency in DC circuit, which is necessary for proper operation of inverter. The operating principles, results of practical implementation and investigations on boost-flyback converter, which meets mentioned demands, are presented. (high step-up DC-DC boost-flyback converter for single phase grid microinverter).
3
Content available remote Wpływ doboru rdzenia dławika na charakterystyki przetwornic boost
Górecki K., Zarębski J., Detka K.
Prace Naukowe Politechniki Śląskiej. Elektryka
|
2013
|
z. 1
7--16
PL
W pracy przedstawiono wyniki pomiarów charakterystyk przetwornicy boost uzyskanych z zastosowaniem dławików z różnymi rdzeniami ferromagnetycznymi. Otrzymane wyniki badań wskazują, że rdzenie ze sproszkowanego żelaza powinny być używane w przetwornicach o małej rezystancji obciążenia, a rdzenie ferrytowe – w przetwornicach pracujących przy dużych rezystancjach obciążenia. Rdzenie nanokrystaliczne umożliwiają uzyskanie trybu CCM w szerokim zakresie zmian rezystancji obciążenia.
EN
In the paper some results of measurements of characteristics of the boost converter obtained at the use of choking-coils with different ferromagnetic cores are presented. These results show that powder cores should be used in converters operated at small values of the load resistance, whereas ferrite cores - in converters operating at large values of the load resistance. Nanocrystalline cores make possible to obtain CCM in a wide range of changes of the converter load resistance.
4
Wpływ doboru elementów półprzewodnikowych na charakterystyki przetwornicy boost
Zarębski J., Górecki K.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 10
79-81
PL
W pracy przedstawiono wyniki pomiarów charakterystyk przetwornicy boost z półprzewodnikowymi elementami kluczującymi wykonanymi z krzemu oraz z węglika krzemu. Przeprowadzono badania rozważanej przetwornicy, zawierającej krzemowy tranzystor MOS oraz krzemową diodę Schottky'ego, krzemowy tranzystor MOS oraz diodę Schottky'ego z węglika krzemu oraz tranzystor MESFET i diodę Schottky'ego z węglika krzemu. W oparciu o uzyskane wyniki pomiarów wskazano warunki pracy przetwornicy boost, przy których zasadne jest stosowanie elementów półprzewodnikowych z węglika krzemu.
EN
In the paper some results of measurements of the boost converter characteristics including switching semiconductor devices produced from silicon and silicon carbide were presented. The investigations were performed for three converters containing: the silicon MOS transistor and the silicon Schottky diode, the silicon MOS transistor and the silicon carbide Schottky diode as well as the MESFET transistor and the Schottky diode produced from silicon carbide. The obtained results of measurements are discussed.
5
Content available remote Wpływ modelu tranzystora MOS na charakterystyki przetwornicy BOOST w stanie ustalonym
Górecki K., Zarębski J.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2010
|
R. 86, nr 11a
141-145
PL
W pracy porównano charakterystyki przetwornicy BOOST w stanie ustalonym uzyskane przy wykorzystaniu modeli tranzystora MOS o różnym poziomie złożoności. Rozważano zależności napięcia wyjściowego, sprawności energetycznej oraz temperatury wnętrza tranzystora od współczynnika wypełnienia sygnału sterującego, rezystancji obciążenia oraz częstotliwości sygnału sterującego. Poprawność wyników obliczeń zweryfikowano doświadczalnie. Porównano również czasy trwania obliczeń uzyskanych przy wykorzystaniu rozważanych modeli.
EN
In the paper boost converter characteristics at the steady state obtained with the use of MOSFET models of various complexity and accuracy are compared. The analyses were performed by SPICE. The dependencies of the converter output voltage, the watt-hour efficiency and the MOSFET inner temperature on the frequency and the pulse-duty factor of the MOSFET control signal as well as the load resistance are considered. The correctness of the calculation results was verified experimentally. The times of the analyses of the converter corresponding to the considered models of the MOS transistor are compared, too.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.