Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: black silicon

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Black Silicon Obtained in Two-Step Short Wet Etching as a Texture for Silicon Solar Cells - Surface Microstructure and Optical Properties Studies

Kulesza-Matlak G., Gawlińska K., Starowicz Z., Sypień A., Drabczyk K., Drabczyk B., Lipiński M., Zięba P.

Archives of Metallurgy and Materials

2018

Vol. 63, iss. 2

1009--1017

In this study a two-step short wet etching was implemented for the black silicon formation. The proposed structure consists of two steps. The first step: wet acidic etched pits-like morphology with a quite new solution of lowering the texturization temperature and second step: wires structure obtained by a metal assisted etching (MAE). The temperature of the process was chosen due to surface development control and surface defects limitation during texturing process. This allowed to maintain better minority carrier lifetime compared to etching in ambient temperature. On the top of the acidic texture the wires were formed with optimized height of 350 nm. The effective reflectance of presented black silicon structure in the wavelength range of 300-1100 nm was equal to 3.65%.

Investigation of electrochemically produced black silicon with silver nanoparticles

Jarimaviciute-Zvalioniene R., Kaminskiene Z., Prosycevas I., Lapinskas S.

Przegląd Elektrotechniczny

2012

R. 88, nr 10a

311-313

Black silicon is new material, which first time was produced in 2006, using femtosecondary laser. Using electrochemically performed black silicon we can produce cheaper solar cells with higher efficiency, comparing to monocrystalline and polycrystalline silicon solar cells, what is important economically today. Efficiency of solar cells also can be increased by application of nanoparticles with inherent plasmon resonance properties. Black silicon with precipitated plasmonic nanoparticles (such as silver or gold) can revolutionary change the market of solar cells. In this work the black silicon were prepared electrochemically from n-type (100) silicon wafers at room temperature in HF:H2O:C2H5OH solution by ratio 2:1:1, using ultrasound excitation of 4.4 mW. The silver nanoparticles were precipitated from silver nitrate and sodium citrate colloidal solution. The structures of black silicon and black silicon with silver nanoparticles were investigated by SEM and lower reflection coefficient of samples of black silicon with Ag nanoparticles was detected. The size of Ag nanoparticles has varied from 30 to 70 nm. Presence of silver on silicon surface was detected by SEM-EDX technology.

Czarny krzem jest nowym materiałem, który został wyprodukowany po raz pierwszy w roku 2006 przy użyciu lasera femtosekundowego. Wykorzystując przetworzony elektrochemicznie czarny krzem można wyprodukować tańsze ogniwa słoneczne o wyższej sprawności w porównaniu do ogniw słonecznych z monokrystalicznego i polikrystalicznego krzemu, co jest obecnie ekonomicznie uzasadnione. Sprawność ogniw słonecznych może być również zwiększona poprzez zastosowanie nanocząstek o właściwościach rezonansu plazmowego. Czarny krzem z wytrąconymi nanocząstkami plazmowymi (takimi jak srebro lub złoto) może zmienić w sposób rewolucyjny rynek ogniw słonecznych. W niniejszej pracy czarny krzem przygotowano elektrochemicznie wykorzystując struktury krzemowe typu n (100) w temperaturze pokojowej w roztworze HF:H2O:C2H5OH o proporcjach 2:1:1, wykorzystując pobudzanie ultradźwiękowe o mocy 4,4 mW. Nanocząstki srebra zostały wytrącone z roztworu koloidalnego azotanu srebra i cytrynianu sodu. Struktury czarnego krzemu i czarnego krzemu z nanocząstkami srebra zostały przebadane poprzez SEM, w wyniku czego stwierdzono niższy współczynnik odbicia próbek czarnego krzemu z nanocząstkami Ag. Rozmiar nanocząstek Ag zmieniał się od 30 do 70 nm. Obecność srebra na powierzchni krzemu została stwierdzona za pomocą technologii SEM-EDX. (Badania wytworzonego elektrochemicznie czarnego krzemu z nanocząstkami srebra).

Formation of "black silicon" on a surface of Ni/Si structure by Nd:YAG laser radiation

Medvid' A., Karabko A., Onufrijevs P., Dauksta E., Dostanko A.

Journal of Automation Mobile Robotics and Intelligent Systems

2009

Vol. 3, No. 4

140-142

We have shown the possibility to form a new type of material known as "black silicon". After irradiation of a Si sample surface, covered with 30 nm thick Ni layer, by Nd: YAG laser beam at intensity 4.5 MW/cm2 the "black silicon" was formed. The formation and self-organization of conelike microstructures on the Ni/Si surface has been detected by scanning electron microscope (SEM). Light is repeatedly reflected between the cones in the way that most of it is absorbed, therefore the surface becomes like a "black body" absorber. The micro-chemical analysis performed on SEM has shown that the microstructures contain NiSi2. This was approved by presence of LO phonon line in Raman back scattering spectrum. The control of micro-cone shape and height was achieved by changing the laser intensity and number of pulses.