Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2011

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: bezpośrednie generowanie wzoru

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Maskless laser lithography for fast Micro- and Mano-technology devices prototyping in ITE

Sierakowski A., Domański K., Janus R., Grabiec P., Gotszalk T., Kopiec D.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2011

Vol. 52, nr 3

38-40

There are only a few methods of masks fabrications for semiconductor technology and MEMS devices. The most common are a Pattern Generator, an E-beam and the Maskless Laser Lithography technologies [1, 2]. For fast prototyping the most useful is the Maskless Laser Lithography method working in Direct Writing mode. For single trials mask making is not necessary. Exposing the pattern directly on a substrate (different substrates are possible) covered with a photosensitive layer makes prototyping much shorter. Moreover, using the direct writing method simplifies converting data from drafts to a pattern saved in machine code and then used for mask generation.

Istnieje kilka metod produkcji masek fotolitograficznych wykorzystywanych przy wytwarzaniu urządzeń półprzewodnikowych lub mikro- i nanomechamcznych. Pattern Generator, E-beam i bezpośrednie naświetlanie światłem laserowym to najczęściej wykorzystywane metody. Metoda bezpośredniego naświetlania wzoru na strukturze jest optymalną dla potrzeb szybkiego prototypowania. Pozwala ona na rezygnację z produkcji masek, które wykorzystywane są tylko w pojedynczych próbach. Możliwość naświetlania wzoru na dowolnym podłożu pokrytym światłoczułą emulsją znacznie skraca czas opracowywania technologii wytwarzania nowych przyrządów. Łatwa konwersja danych zapisanych w typowych formatach wykorzystywanych przy projektowaniu wzorów na kod maszynowy pozwala szybko wygenerować wzór.