Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Rosyjska Arktyka w 2019 roku

Galoch Bronisław

Kwartalnik Bellona

|

2019

|

Nr 2

56--71

PL

W polityce Władimira Putina ważne miejsce zajmuje Arktyka. Znajdują się tam ogromne zasoby ropy i gazu. Ocenia się, że niemal czwarta część światowych złóż ropy i połowa globalnych złóż gazu mogą zalegać pod dnem morskim tego lodowatego pustkowia. Wzrost temperatury na Ziemi powoduje topnienie polarnej pokrywy lodowej, to zaś sprawia, że obszar Arktyki staje się łatwiejszy do eksploracji. Region ten budzi zainteresowanie wielu państw, między innymi: Kanady, Danii (i zależnej od niej Grenlandii), Norwegii, Rosji oraz Stanów Zjednoczonych. Obecnie w działania na obszarze arktycznym najbardziej jest zaangażowana Rosja i próbuje ona wciągnąć świat zachodni w arktyczny wyścig zbrojeń. Na wyspach szelfu kontynentalnego Europy, który stanowi północny skraj całego kontynentu, znajduje się 475 rosyjskich baz, od zachodniej granicy Federacji Rosyjskiej do Cieśniny Beringa na wschodzie. Rozlokowane są w nich systemy przeciwlotnicze S-400 oraz dodatkowo obrony powietrznej w pobliskiej lądowej bazie lotniczej. Środki te mogą pracować w temperaturze -50°C. Wojsko w bazach ma za zadanie radiolokacyjną kontrolę ruchu lotniczego i Północnej Drogi Morskiej oraz likwidowanie szkód ekologicznych. Zgodnie z decyzją prezydenta Putina do 2024 roku ruch żeglugowy na trasie północnomorskiej ma zwiększyć się dziesięciokrotnie. W rosyjskim rządzie powstało nowe ministerstwo, które odpowiada za rozwój Arktyki.

EN

In the politics of Vladimir Putin, the Arctic take an important place. There are enormous rsources of gas and oil. It is estimated that nearly one-fourth of the global oil and gas resources may be hidden under the sea depth of this icy desert. The Earth's increasing temperatures make the polar ice cover melt, which in turn makes the Arctic more accessible for exploration. The region is interesting for many state, sucha Canada, Denmark (and Greenland), Norway, Rusia and the United States. At present, Russia has been most engaged in the activity in the Arctic area, and it is Russia that attempt to make the western world join the Arctic weapon race. On the islands of the Europe's continental shelf, which constitutes a northern end of the entire continent, there are 475 Russian bases with the S-400 anti-aircraft systern, reaching from the western border of the Russian Federation to the Bering Strait in the east, and additional air defense bases in the nearby land air base. The systems can operate in the temperature as low as - 50°C. The army in those bases is tasked with a radar control of air traffic and the Northern Sea Route, a well as with the elimination of ecological damages. By the decision of President Putin, until 2024, the hipping traffic on the Northern Sea Route is to increase ten times. The Russian government created a new ministry responsible for the development of the Arctic.

2

Wytrzymałość na ścinanie mieszaniny popiołowo-żużlowej w zależności od przyjętego kryterium zniczenia

Gruchot A.

Drogownictwo

|

2010

|

nr 7-8

238-242

PL

W pracy przedstawiono wyniki badań wytrzymałości na ścinanie mieszaniny popiołowo-żużlowej pobranej z osadnika Elektrowni "Skawina". Badania przeprowadzono w standardowym aparacie bezpośredniego ścinania. Analiza wyników badań pozwala stwierdzić, że mieszanina popiołowo-żużlowa charakteryzuje się dużymi wartościami parametrów wytrzymałościowych przy prawie niezmienionej wartości kąta tarcia wewnętrznego oraz znacznymi różnicami spójności pomiędzy przyjętymi kryteriami ścięcia.

EN

The paper presents results of an investigation into the shear strength of the ash-slag mixture taken from the settling pond of the Power Plant "Skawina". The tests were carried out in a standard direct shear apparatus. The analysis of the test results shows, that the tested ash-slag mixture can be characterised by the big values of strength parameters at the almost unchanged value of the angle of internal friction and the significant differences of cohesion between the assumed shearing criteria.

3

Podstawy nauki o korozji dla opornych słuchaczy

Królikowski A.

Ochrona przed Korozją

|

2008

|

nr 4-5

179-182

PL

Wiadomości o korozji i ochronie przed korozją są traktowane marginalnie w nowych standardach kształcenia, określających programy studiów na kierunkach technicznych. Przyszli inżynierowie będą mieli kilka, a w najlepszym wypadku kilkanaście godzin zajęć, mniej lub bardziej związanych z korozją, w bloku przedmiotów obowiązkowych. W tych warunkach niemożliwe jest przekazanie im szerszych podstaw nauki o korozji. W pracy przedstawiono sprawdzone w praktyce, uproszczone sposoby omawiania zagadnień korozyjnych. Skomplikowane problemy są ilustrowane żartobliwymi rysunkami. Zwiększa to atrakcyjność zajęć i umożliwia dotarcie do słuchaczy o zróżnicowanym przygotowaniu i zróżnicowanej motywacji do studiowania.

EN

The knowledge on corrosion and corrosion protection is treated marginally in new higher education standards, determining curricula of technical courses of university studies. Coming engineers will have very few hours of obligatory teaching on topics more or less related to corrosion. Under these conditions a comprehensive teaching of bases on corrosion knowledge is hardly possible. Therefore, in this paper the proved in practice, simplified approach for presenting corrosion problems is shown. Complicated phenomena are illustrated with facetious drawings. This approach makes lecturing more attractive and more understandable for audience of various academic background and motivation to study.

4

Podbudowa z gruzu ceglanego

Kossakowski M.

Drogownictwo

|

2007

|

nr 4

122-124

PL

Gruz ceglany, jako materiał odpadowy może być stosowany na podbudowy nawierzchni drogowych obciążanych ruchem bardzo lekkim. Autor opisuje wymagania dotyczące materiałów, sprzętu, wykonania i kontroli jakości przy wykonywaniu robót.

EN

Brick rubble, as waist material, can be used for pavement base of the roads loaded with very light traffic. The author describes requirements related to materials, equipment, construction and quality control during construction.

5

Drogowe normy europejskie. Kruszywo związane hydraulicznie do podbudowy. Kontrola produkcji mieszanki

Rolla S.

Drogownictwo

|

2005

|

nr 9

276-278

PL

Kontynuacja opisu normy PN-EN 14227-1:2005 (U) dotycząca mieszanki związane spoiwem hydraulicznym (pierwszą część przedstawiono w Drogownictwie 7/2005). W drugiej części opisano wytyczne organizacji i kontroli oraz procedury kontroli. Ponadto opisano normy PN-EN 13286-40:2005 i PN-EN 13286-41:2005 odnoszących się do oznaczania wytrzymałości mieszanek kruszywa z cementem.

EN

This is continuation of description of the standard PN-EN 14227-1:2005 (U) related to mixes bound with hydraulic binder (the first part were presented in Drogownictwo 7/7005). In the second part guidelines for organization and control, and control procedures are given. Additionally, the standards PN-EN 13286-40:2005 and PN-EN 13286-41:2005 related to strength tests of hydraulically bound mixtures are described.

6

Technologia ELO w epitaksji związków (In,Ga,Al)N

Paszkiewicz R.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2001

|

Vol. 42, nr 2

23-26

PL

Półprzewodniki (Al,Ga,In) są ważnymi materiałami do wytwarzania diod elektroluminescencyjnych i laserów emitujących światło z obszaru od zielonego do ultrafioletu. Mogą być też stosowane do wytwarzania elementów elektronicznych, takich jak heterozłączowe tranzystory polowe (HFET). Typowo, struktury epitaksjalne tych przyrządów są osadzane na szafirze z powodu braku ogólnie dostępnego homoepitaksjalnego podłoża GaN. Duże niedopasowanie sieciowe, termiczne i chemiczne GaN i szafiru powoduje powstawanie na międzypowierzchni szafir-rosnąca warstwa epitaksjalna dużej ilości dyslokacji wspinających, o koncentracji rzędu 108 ÷ 1010 cm-2. W celu poprawy parametrów przyrządów wytwarzanych w GaN niezbędne jest zmniejszenie gęstości dyslokacji w heteroepitaksjalnych wielowarstwach przyrządowych. Ostatnio wykazano, że technika ELO (Epitaxial Lateral Overgrowth - epitaksja z równoległym do podłoża modem narostu) pozwala na zmniejszenie gęstość defektów w osadzanych warstwach poprzez blokowanie propagacji defektów z warstw GaN przykrytych maską tlenkową. W pracy przedstawiono rezultaty badań prowadzonych w Instytucie Techniki Mikrosystemów Politechniki Wrocławskiej nad opracowaniem technologii wytwarzania pseudo-objętościowych podłoży GaN techniką ELO. Zbadano kinetykę procesu ELO w funkcji właściwości maski oraz parametrów procesu MOVPE (Metal Organie Vapour Phase Epitaxy- epitaksja z fazy gazowej ze związków metaloorganicznych). Określono obszar parametrów procesu pozwalających na uzyskanie pełnej koalescencji izolowanych pasków i osadzanie pseudo-objętościowych podłoży GaN.

EN

The (Al,Ga,In)N material system has shown potential use in light emitting diodes (LEDs) and laser diodes (LDs) in green to ultraviolet light regions. It has also shown usefulness in electronic devices such as AIGaN/GaN heterostructure field effect transistors (HFET). These GaN based devices are usually fabricated on sapphire substrates because, so far no largescale substrate has been developed for homoepitaxial growth. The large differences in lattice constant, thermal expansion coefficient and chemical nature between GaN and sapphire substrates cause the threading dislocation formation with density 108 ÷ 1010 cm-2 during heteroepitaxial layers deposition. The reduction of the dislocation density is necessary to improve the performance of GaN based devices. Recently, the epitaxial lateral overgrowth (ELO) technique has shown its potential to reduce the dislocation density by blocking propagation from the under GaN layer using a dielectric selective mask. The paper presents the results of work concerning the elaboration of GaN pseudo-bulk technology. The growth mechanism of epitaxial lateral overgrowth (ELO) GaN affected by mask patterns and the metal organic vapour phase epitaxy (MOVPE) growth process parameters are presented and discussed. The conditions to obtain full coalescence of isolated stripes leading to pseudo-bulk GaN substrate growth are specified.