PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  base transit time
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available Modeling SiGe-base HBT using APSYS 2000 - a 2D simulator
Linkowski A., Łukasiak L., Jakubowski A.
Journal of Telecommunications and Information Technology
|
2004
|
nr 1
36-38
EN
The paper is devoted to optimization of SiGe-base HBT with respect to operation speed by means of numerical simulation. The influence of design parameters on f(T) is studied.
2
Content available Optimization of selected parameters of SiGe HBT transistors
Zaręba A., Jakubowski A.
Journal of Telecommunications and Information Technology
|
2000
|
nr 3-4
15-18
EN
SiGe-base HBTs with Gaussian doping distribution are modeled including the effect of the drift field and variable Ge concentration in the base on the diffusion coefficient. Two different Ge distributions in the base are considered: a triangular one and a box one.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.