Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: barwienie chemiczne

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Metody barwienia anodowych powłok tlenkowych na aluminium i stopach aluminium

Nowak M.

Stal, Metale & Nowe Technologie

2014

nr 5-6

112--114

Stosowane w inżynierii powierzchni metody barwienia anodowych powłok tlenkowych można realizować w wyniku szeregu operacji o zróżnicowanym stopniu trudności. Warunkiem uzyskania powłok barwnych o odpowiedniej jakości jest jednak wytworzenie wystarczająco grubych powłok o ściśle określonych średnicach porów.

Opracowanie metody ujawniania położenia złącza LH typu n+n oraz p+p w strukturach epitaksjalnych z SiC metodą chemicznego barwienia

Przyborowska K., Dobrzański L., Możdżonek M., Surma B., Brzozowski A., Łapińska B.

Materiały Elektroniczne

2011

T. 39, nr 2

14-17

Opracowano metodę ujawniania obszarów typu n i p epitaksjalnej warstwy SiC metodą chemicznego barwienia. Złącze n+n lub p+p znajduje się pod powierzchnią płytki. Ujawnienie i pomiar położenia złącza wykonuje się na próbce zeszlifowanej pod niewielkim kątem. Przebadano kilka roztworów, spośród nich wybrano jeden dla którego wykonano próby barwienia warstw w różnych warunkach. Ustalono warunki prowadzenia procesu dające jednoznaczny pomiar grubości ujawnionych warstw. Opracowano technicznie prostą i nie wymagającą specjalistycznej aparatury metodę, której wyniki są porównywalne z wynikami otrzymanymi metodami optycznymi.

A method of the chemical decoration of n and p SiC epitaxial layers has been established. Both n+n and p+p junctions are located under the wafer surface. The decoration and measurement of junction depth have been done using samples lapped at a small angle. Several staining solutions have been tested. In consequence, the best has been selected out of them to perform decoration under different circumstances. The processing conditions which enable an unambiguous thickness measurement have been determined. The reported method is simple and does not require specialised equipment. The results of junction depth measurements are consistent with those obtained using optical methods.