Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  bariery wyładowań
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
EN
Organo-silicon layers were deposited on polycarbonates (PC) substrates from the gas phase by using pulsed dielectric barrier discharge. Very short (~ 20 ns) pulses of high power discharge (-0.4 MW) were applied. The process was carried out under atmospheric pressure in a helium-oxygen plasma. Tetraethoxysilane (TEOS) vapours were used as a source of silicon. The surface morphology, composition and thickness of the layers were studied by means of AFM/TM, FTIR and SEM. The organo-silicon layers were found to be transparent, smooth and uniform over the whole substrate surface. The amplitude of the deviations from surface uniformity did not exceed 30 nm. The thickness of the deposited layers was of the order of ~2 |j.m.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.