PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 7

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  bariera Schottky'ego
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available Photodiode based on the epitaxial phosphide gallium with increased sensitivity at a wavelength of 254 nm
Dobrovolsky Yurii G., Lipka Volodymyr M., Strebezhev Volodymyr V., Sorokatyi Yurii O., Sorokatyi Mykola O., Andreeva Olga P.
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
|
2020
|
T. 10, nr 1
36--39
EN
The paper showsthe results of the development of a photodiode technology based on gallium phosphide structure n+-n-GaP-Au with high sensitivity. It provides the ion etching of the surface of the gallium phosphide before an application of a leading electrodeof gold. The barrier layerof a 20 nm thick gold is applied to thesubstrate in the magnetic field of GaP. When forming the contact with the reverse sideof the indium substrate at 600°C, there occurs the annealing of the gold barrier layer. At the maximum of the spectral characteristics obtained by the photodiode, it has a sensitivity of 0.13A/W, and at a wavelength of 254 nm – about 0.06 A/W. The dynamic range of the photodiode is not less than 107.
PL
Artykuł pokazuje rezultaty rozwoju technologicznegofotodiody opartej na fosforku galu o strukturze n+-n-GaP-Auo wysokiej czułości. Umożliwia to wytrawianie jonowe powierzchni fosforku galu, zanim zastosowana zostanie elektroda przewodząca wykonana ze złota. Złota warstwa barierowa o grubości 20 nm jest nakładana na podłoże GaP w polu magnetycznym. Gdy powstaje stykz tyłu podłoża indowego w temperaturze 600°C, złota warstwa barierowa jest wyżarzana. Przy maksymalnej charakterystyce spektralnej uzyskanej przezfotodiodę, ma ona czułość 0,13 A/W, a przy długości fali 254 nm –około 0,06 A / W. Zakres dynamiczny fotodiody wynosi co najmniej 107.
2
Content available Analysis and investigation of Schottky barrier MOSFET current injection with process and device simulation
Schwarz Mike, Calvet Laurie E., Snyder John P., Krauss Tillmann, Schwalke Udo, Kloes Alexander
International Journal of Microelectronics and Computer Science
|
2018
|
Vol. 9, nr 1
1--8
EN
In this paper we focus on the implementation of a process flow of SB-MOSFETs into the process simulator of the Synopsys TCAD Sentaurus tool-chain. An improved structure containing topography is briefly discussed and further device simulations are applied with the latest physical models available. Key parameters are discussed and finally the results are compared with fabricated SB-MOSFETs in terms of accuracy and capability of process simulations.
3
Content available Simulation framework and thorough analysis of the impact of barrier lowering on the current in SB-MOSFETs
Schwarz M., Calvet L. E., Snyde J. P., Krauss T., Schwalke U., Kloes A.
International Journal of Microelectronics and Computer Science
|
2017
|
Vol. 8, nr 2
72--79
EN
In this paper we present a simulation framework to account for the Schottky barrier lowering models in SBMOSFETs within the Synopsys TCAD Sentaurus tool-chain. The improved Schottky barrier lowering model for field emission is considered. A strategy to extract the different current components and thus accurately predict the on- and off-current regions are adressed. Detailed investigations of these components are presented along with an improved Schottky barrier lowering model for field emission. Finally, a comparison for the transfer characteristics is shown for simulation and experimental data.
4
Diody Schottky’ego i tranzystory MESFET na bazie In-Ga-Zn-O z przezroczystą bramką Ru-Si-O
Kaczmarski J., Grochowski J., Kamińska E., Taube A., Kozubal M., Jung W., Piotrowska A., Dynowska E.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2014
|
Vol. 55, nr 9
24-26
PL
Kontakty prostujące stanowią główny element w konstrukcji diod Schottky’ego i tranzystorów MESFET zapewniających niski pobór mocy układów scalonych i płaskich wyświetlaczy z aktywnymi matrycami. W niniejszej pracy proponujemy wytworzenie bariery Schottky’ego do a-IGZO w oparciu o przezroczysty tlenek przewodzący (ang. Transparent Conductive Oxide, TCO) Ru-Si-O. Skład atomowy i amorficzna mikrostruktura tego TCO są skuteczne w zapobieganiu reakcjom międzyfazowym w obszarze złącza, pozwalając na uniknięcie wstępnej obróbki powierzchni półprzewodnika. Kontakty Ru-Si-O/In-Ga-Zn-O zostały wykonane za pomocą reaktywnego magnetronowego rozpylania katodowego. Przedstawiamy wyniki badań nad wpływem składu chemicznego Ru-Si-O na właściwości elektryczne i optyczne kontaktu do a-IGZO. Określono okno procesowe wytwarzania Ru-Si-O, w którym warstwy tworzą przezroczystą barierę Schottky’ego do a-IGZO bez wstępnej obróbki powierzchni tego półprzewodnika. Przezroczysta bariera Schottky’ego została wykorzystana w konstrukcji tranzystora MESFET.
EN
In the following reposrt we propose utilization of transparenct conductive oxide as Schottky contact to transparent amorphous oxide semiconductor. Ru-Si-O Schottky contacts to In-Ga-Zn-O have been fabricated by means of reactive sputtering without neither any annealing processes nor semiconductor surface treatments. The ideality factor, effective Schottky barrier height and rectification ratio are equal to < 2, > 0.9 eV and 105 A/A, respectively. We employed Ru-Si-O/In-Ga-Zn-O Schottky barriers as gate electrodes for In-Ga-Zn-O metal-semiconductor field-effect transistors (MESFETs). MESFET devices exhibit on-to-off current ratio at the level of 103 A/A in a voltage range of 2 V and subthreshold swing equal to 420 mV/ dec. Channel mobility of 7,36 cm2/Vs was achieved.
5
Wpływ defektów o głębokich poziomach na wysokość bariery w diodzie Schottky'ego 4H-SiC
Zaremba G., Jung W., Kamińska E., Borysiewicz M., Korwin-Mikke K., Adamus Z.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 9
106-109
PL
W pracy przedyskutowano wpływ defektów o głębokich poziomach na wysokość bariery w diodzie Schottky'ego 4H-SIC. Defekty scharakteryzowano przy pomocy niestacjonarnej spektroskopii głębokich poziomów (DLTS) w rożnych modach. Wyniki pomiarów DLTS zestawiono ze zmierzonymi charakterystykami prądowo-napięciowymi (I-V) oraz rezultatami numerycznej symulacji wpływu koncentracji dominującego defektu na wysokość bariery Schottky'ego. Na potrzeby symulacji wykorzystano zależności na wysokość bariery Schottky'ego z modelu Cowley-Sze. Na podstawie wyników pomiarów oraz symulacji stwierdzono, ze koncentracja dominującego defektu jest zbyt mała aby miała ona znaczący wpływ na wysokości bariery, a różnice w koncentracji tego defektu w poszczególnych strukturach nie tłumaczą, rozrzutu charakterystyk I-V.
EN
This work presents discussion about influence of deep level defects on barrier height of 4H-SiC Schottky diode. Defects were characterized by mean of deep level transient spectroscopy (DLTS) in different modes. Results of DLTS measurements were confronted with measured current-voltage (I-V) characteristics and results of numerical simulation of influence of deep level concentration on Schottky barrier height. Equation for barrier height, from Cowley-Sze model was used as a base for calculation. It seems from results of measurements and simulation that concentration of dominant defect is too small to have significant influence on barrier height. Additionally, differences in concentration of dominant defect in different structures. do not explain spread in measured I-V characteristics.
6
Nowa struktura tranzystora unipolarnego mocy SVMOS
Ruta Ł., Lisik Z., Kalinowski A., Podgórski J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2010
|
Vol. 51, nr 2
130-132
PL
Nowe rozwiązanie unipolarnego przyrządu mocy zostało nazwane SVMOS. Powstało ono na podstawie modyfikacji struktury VDMOS co zostało przedstawione. Źródłem takiej modyfikacji jest koncepcja struktury SMIS, która również była rozważana. Poprawność zaproponowanej modyfikacji została zweryfikowana na drodze symulacji numerycznych zarówno modyfikowanej struktury VDMOS jak i zaprojektowanej SVMOS.
EN
The new solution of unipolar power device called SVMOS, which has arisen as modification of VDMOS structure, is presented. The origin of the modification is connected with the concept of SMIS structure that is considered as well. The correctness of the proposed modification has been checked in the way of numerical simulations both for the modified VDMOS and the resulted new SVMOS structure.
7
Content available remote Transport properties of as-deposited cadmium phthalocyanine Schottky-barrier devices
Samuel M., Menon C. S., Unnikrishnan N. V.
Materials Science Poland
|
2007
|
Vol. 25, No. 1
177--184
EN
Sandwich samples of the type (Au-CdPc-Al) have been fabricated by successive vacuum deposition of gold (Au), cadmium phthalocyanine (CdPc), and aluminium (Al) thin films on glass substrates. Good rectification properties have been observed in the device. Ohmic conduction in the lower voltage range has been identified from the forward bias current density-voltage characteristics at room temperature. At higher voltages, a space charge limited conductivity (SCLC) controlled by an exponential trapping distribution above the valence band edge has been observed. The transport properties of the material at ambient temperature have been obtained from an analysis of the samples in the SCLC region. Schottky emission has been identified at lower voltages from the analysis of the reverse bias characteristics.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.