Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Recognition and characterization of defects in GaN epilayers

Jezierska E., Borysiuk J.

Inżynieria Materiałowa

|

2013

|

Vol. 34, nr 4

277--282

EN

Using conventional and high resolution electron microscopy typical contrast was identiﬁed for the “a” pure edge threading dislocations in GaN layers grown on SiC and sapphire. Their atomic structure was shown to exhibit 5/7 atoms conﬁguration. The {1 2 10} stacking fault has two atomic conﬁgurations in wurtzite GaN with 1/2<10 1 1> and 1/6<20 2 3> displacement vectors. It originates from steps at SiC surface and it can form on a flat (0001) sapphire surface. In the investigated samples mainly Holt conﬁguration of inversion domains and zigzag boundaries were found. This conﬁguration is realized by inversion with displacement c/2. Different types of nanopipes were found on the cross-sectional GaN/Al2O3 specimens. Most of the observed nanopipes have hexagonal cross-section on planar view and the diameter in the range 5÷20 nm. Screw distortion around the nanopipes was conﬁrmed using Large-Angle Convergent-Beam Electron Diffraction (LACBED) images. Cubic-GaN inclusions were found as colonies of triangular pyramids with the hill of triangle towards SiC substrate. The appearance of second phase precipitates inside wurtzite GaN epilayer is associated with stacking mismatch boundaries and misoriented mosaic domains. The size of c-GaN inclusions is in the range 2÷16 nm with average lateral diameter near 5 nm.

PL

Krawędziowe dyslokacje typu ,,a” przebiegające na wskroś warstw epitak- sjalnych GaN/SiC zidentyﬁkowano na podstawie typowego kontrastu, stosując techniki konwencjonalne i wysokorozdzielczą mikroskopię elektronową. Określono atomową konﬁgurację rdzenia dyslokacji, jako układ 5/7 najbliższych atomów. Występujące w strukturze wurcytu błędy ułożenia {1 2 10} przyjmują w badanych warstwach epitaksjalnych GaN dwie konﬁgurację 0 różnych wektorach przemieszczenia 1/2<10 1 1> i 1/6<20 2 3>. Powstają one na skutek tworzenia stopni na powierzchni podłoża SiC lub na płaskich powierzchniach bazowych szaﬁru. Stwierdzono występowanie granic domen inwersyjnych i granic typu zig-zag o konﬁguracji charakteryzującej się złożeniem inwersji i przemieszczenia c/2 w kierunku osi heksagonalnej. W warstwach epitaksjalnych GaN/szaﬁr zaobserwowano nanorurki jako dyslokacje śmbowe o otwartym rdzeniu. Większość nanorurek na przekroju planarnym wykazywała kształt heksagonahiy i rozmiary w zakresie 5 ÷20 nm. Dystorsja śmbowa wokół nanorurek została potwierdzona za pomocą metody zbieżnej wiązki elektronów przy dużych kątach zbieżności (LACBED). W strukturze heksagonalnej GaN/SiC zaobserwowano obszary fazy o sieci regulamej c-GaN, jako kolonie o kształcie odwróconych piramidek o wielkości u podstawy 2÷16 nm, przy średniej wielkości 5 nm.

2

Doświadczenia z pomiarów odchylenia w pionie trasy rurociągów na przykładzie metody stosowanej przez firmę iPEK Gmbh

Świdroń A.

Prace Naukowe Instytutu Inżynierii Lądowej Politechniki Wrocławskiej. Konferencje

|

2002

|

Vol. 50, nr 19

373-383

PL

W artykule omówiono metodę pomiaru niwelety przewodów z wykorzystaniem inklinometrów wbudowanych w zestawy do inspekcji video. Zaprezentowano przykładowe charakterystyki sprzętu jak również uwagi dotyczące praktycznej realizacji pomiarów. Wieloletnie doświadczenia w badaniach przewodów zaowocowały spostrzeżeniami na temat błędów losowych i systematycznych, jakie mogą powstać w trakcie pomiarów. Zawarte w artykule przykłady prezentują wyniki pomiarów obarczone błędami różnego typu oraz sposoby postępowania umożliwiające niwelacje tych błędów.

EN

Studying vertical deviation of piping with the use of inclinometer is winning bigger and bigger interest. However, this is not always backed-up with proper knowledge especially as far as possible application and interpretation of results are concerned. In this article there have been discussed the ways of determining the bedding of pipes with the use of equipment and solutions implemented by iPEK company and based on the experience of RETEL company. The author discusses the type of measurements errors and the ways of eliminating them to some degree. Most of the problems have been illustrated with appropriate examples.

3

Błędy ułożenia - czym są i od czego zależy ich energia.

Wróbel M.

Inżynieria Materiałowa

|

2001

|

R. XXII, nr 6

1024-1032

PL

W pracy przedstawiono definicje błędów ułożenia (BU) i energii błędu ułożenia, rozróżniając energię hipotetycznego (nieograniczenie rozciągłego) błędu ułożenia, na który nie wpływają dyslokacje (EBU) od energii błędu ułożenia ograniczonego dyslokacjami częściowymi (efektywna energia błędu ułożenia EEBU). Przedyskutowano również ograniczenia traktowania energii błędu ułożenia jako miary względnej stabilności struktur krystalicznych. Krótko przedstawiono podstawy związku EBU z oddziaływaniami atomów i elektronów oraz przedyskutowano przyczyny wyznaczonych zależności EBU od składu chemicznego stopów i od temperatury.

EN

The concept of the stacking faults (SF), the stacking energy (SFE) and selected examples of typical SFs in the face-centered cubic (fcc) structure and in the hexagonal close-packed (hcp) structure is presented. The sequence of stacking and SFs have been described by some letters which designate position of the successive atomic planes. Additionally, Frank notation system as well as notation introduced by Jagodziński were explained and used. Some experimental SFE values for selelcted metals are collected.