PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  atomic layer epitaxy
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Epitaksja warstw atomowych w ultrawysokiej próżni : fizyka procesu i jego zastosowania
Herman M. A.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2009
|
Vol. 50, nr 1
28-30
PL
W artykule zostały opisane podstawy procesu krystalizacji cienkich warstw epitaksjalnych znanego pod nazwą epitaksja warstw atomowych w ultrawysokiej próżni oraz wskazane zostały przykłady zastosowań tej metody w technologii struktur półprzewodnikowych występujących w przyrządach elektronicznych.
EN
Principles of the ultrahigh vacuum atomie layer epitaxy crystallization technique are presented in this paper. Some examples of application of this techniquein technological processesof crystallization of semi-conductor structures oceurring in eleetronic devices have been discussed.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.