Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Zastosowanie technologii MOCVD w dziedzinie laserów antymonkowych z heterozłączem I-go rodzaju

Wesołowski M., Strupiński W., Pruszyńska-Karbownik E., Motyka M., Sęk G., Wójcik-Jedlińska A., Pierściński K., Pierścińska D.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 10

25-28

PL

Zastosowanie technologii epitaksji MOCVD (Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy) w przypadku optoelektronicznych przyrządów półprzewodnikowych otrzymywanych ze związków antymonu napotyka na problem w postaci zanieczyszczenia węglem i tlenem warstw zawierających glin. W związku z powyższym opracowano skuteczną technologię MOCVD struktur przyrządów antymonkowych w przypadkach, gdy nie ma konieczności wprowadzania do warstw atomów tego pierwiastka, jest tak np. w dziedzinie niektórych konstrukcji ogniw termo-foto-woltaicznych oraz detektorów ln(Ga)(As)Sb/GaSb. Odmienne natomiast okoliczności występują w dziedzinie laserów heterozłączowych InGaAsSb/AIGaAsSb/GaSb. W tym przypadku opublikowano dotychczas tylko jeden przypadek działającego lasera, nie udało się przy tym osiągnąć trybu pracy ciągłej. Celem przeprowadzonych badań była weryfikacja trudności tej technologii oraz próba ich pokonania poprzez zastosowanie optymalnego zestawu prekursorów. Przedstawione są wyniki prac nad otrzymywaniem warstw tworzących heterostrukturę oraz wyniki charakteryzacyjne heterostruktur. Porównanie jakości struktur otrzymanych w oparciu o zastosowane prekursory alternatywne DMEAAI (dwu-metylo-amino-diolan-glinu) oraz TEGa (trój-etylek-gaIu) z warstwami wykonanymi przy zastosowaniu prekursorów TMAI (trój-metylek-glinu) oraz TMGa (trój-metylek-galu) wykazało poprawność koncepcji. Pokazane są wyniki symulacji numerycznych uwzględniających problematykę domieszkowania okładek i barier laserów. Umożliwiają one optymalizację projektu struktury dla epitaksji w technologii MOCVD.

EN

The application of the MOCVD (metal organic vapor phase epitaxy) epitaxial growth method to optoelectronic semiconductor devices based on antimony compounds is problematic primary due to the carbon and oxygen contamination of layers containing aluminum. Thus, an effective MOCVD technology for antimonide devices, which do not incorporate atoms of this element in heterostructures, has been established. It concerns some thermophotovoltaic cells or ln(Ga)(As)Sb/GaSb detectors. The situation of InGaAsSb/AIGaAsSb/GaSb heterojunction lasers is dissimilar, since up to this point only one instance of a working laser has been reported; additionally, continuous wave operation has not been shown. The predominant goal of this study has been to verify the technology and to overcome its difficulties by using currently optimal precursors. Both the results of work on the process of obtaining single layers and the characterization results for laser heterostructures are presented. The comparison of the quality of the structures produced using alternative precursors DMEAAI (di-methyl-ethyl-amino-alane) as well as TEGa (tri-ethyl-galium) and the structures obtained with the use of TMAI (tri-methyl-aluminum) and TMGa (tri-methyl-galium) precursors proved the correctness of the concept. Numerical simulations of the laser devices considering the specific barrier and cladding layers doping issue are presented.

2

Problemy epitaksji antymonków grupy III-V

Jasik A., Regiński K., Sankowska I., Kubacka-Traczyk J., Jakieła R., Kaniewski J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2010

|

Vol. 51, nr 10

90-92

PL

W pracy przedstawiono wyniki dotyczące optymalizacji technologii epitaksji z wiązek molekularnych związków antymonkowych oraz supersieci drugiego rodzaju. Kluczowym w procesie wzrostu warstw GaSb były dwa etapy: wygrzewanie podłoża poprzedzające wzrost oraz studzenie struktury po zakończonym wzroście. Istotnym problemem okazało się zanieczyszczanie warstw antymonkowych arsenem. W wyniku badań wpływu obszaru międzyfazowego na jakość SL II rodzaju otrzymano krzywą kalibracyjną, która pozwala uzyskać SL 10 ML InAs/10 ML GaSb dopasowaną sieciowo do podłoża GaSb.

EN

We present the results of the growth optimization of both GaSb and related compounds and type-II superlattices grown by molecular beam epitaxy. The key issues in the epitaxial growth of GaSb layers were an annealing of a substrate before growth and post-growth cooling of a structure. A crucial problem of GaSb layer growth is its arsenic contamination. We have investigated the influence of interface type on the ąuality of type-II SL. We received a calibration curve, which allows to obtain the lattice matched of 10 ml InAs/10 ML GaSb superlattice.

3

Epitaksja warstw GaSb, InGaSb oraz InGaAsSb na podłożach GaSb metodą MOCVD

Wesołowski M., Strupiński W.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2010

|

Vol. 51, nr 1

77-79

PL

Przedmiotem prezentowanych badań jest technologia epitaksji MOCVD na podłożach GaSb warstw GaSb oraz niektórych innych materiałów III-V zawierających antymon. Przeprowadzenie optymalizacji procesu epitaksjalnego oraz przygotowania podłoży pozwoliło pokonać podstawowe charakterystyczne problemy tej technologii. Zamieszczone dane analizy właściwości warstw: fotoluminescencji, rozpraszania rentgenowskiego, absorpcji, SIMS, mikroskopii optycznej oraz AFM wykazują dobrą jakość strukturalną, inne parametry, jak np. właściwości nośników, wymagają dalszej optymalizacji. Natrafiono na problemy w postaci dużej zawartości węgla i tlenu, trudności związane z obecnością tlenku na powierzchni podłoży oraz inne charakterystyczne problemy epitaksji MOCVD związków zawierających antymon.

EN

We present experimental results of MOCVD epitaxy of GaSb and some other III-V antimony-containing semiconductors on GaSb substrates. Through optimisation of epitaxy process and substrate preparation we resolved several specific technological issues. Observed characteristic relatively high contamination by oxygen and carbon can introduce difficulties in device applications. We have recognized and resolved problems related to the facility of oxide creation on the GaSb surface. We show characterisation results derived by photoluminescence, X-ray diffraction, absorption, SIMS, optical microscopy, AFM and other.

4

Technologia MOCVD materiałów zawierających antymon na podłóżach GaSb dla zastosowań w optoelektronice

Wesołowski M., Strupiński W.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2009

|

Vol. 50, nr 5

49-52

PL

Przedstawione badania skupione są na zagadnieniu epitaksji MOCVD warstw półprzewodników III-V z antymonem na podłożach GaSb. Materiały te znajdują obecnie zastosowanie w przyrządach optoelektronicznych, jednak technologia MOCVD w ich przypadku przynosi wiele wyzwań, nowych w porównaniu z bardzo dobrze już określoną technologią dla arsenków lub fosforków. W artykule zamieszczono głównie wyniki wzrostu warstw GaSb, InGaSb oraz InGaAsSb, optaymailizacja technologii oraz podstawowe problemy jakie rozwiązano i jakie wymagają rozwiązania.

EN

We present research on MOCVD epitaxy of III-V antimony-containing semiconductors on GaSb substrates. The interest in these materials outcomes from their actual and potential applications in electronics, however the MOCVD technology in this case brings many new issues if compare with well established MOCVD epitaxy of arsenides or phosphides. We show main results of growth of GaSb, InGaSb and InGaAsSb Iayers, technology optimisation and basic problems which are already resolved or need to be resolved. The analysis by semiconductor characterisation techniques: microscopy, photoluminescence, X-ray diffraction, photoreflectance and other are presented. We also consider application of developed technology in infrared semiconductor lasers.

5

Epitaxial films of GaInPAsSb quinary solid solutions

Kuznetsov V. V., Rubtsov E. R., Kognovitskaya E. A.

Materials Science Poland

|

2006

|

Vol. 24, No. 4

1057--1066

EN

The method of the obtaining quinary solid solutions on the basis of A IIIBV compounds (GalnPAsSb) with specified properties was developed. New GaInPAsSb/GaSb, GalnPAsSb/InAs heterostructures were obtained to create optoelectronic devices for the 2-5 urn spectral range. The broken-gap type II hetero junction was formed at the InAs/Ga0.92In 0.08P0.05As0.08Sb0.87 heterostructure, and a light-emitting diode was fabricated with the emission intensity maximum at 1.9 žm.