Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2010

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: antymonek galu

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Monokryształy antymonku galu (GaSb) otrzymane metodą Czochralskiego

Mirowska A., Orłowski W., Bańkowska A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2010

Vol. 51, nr 1

53-55

Do otrzymywania monokryształów antymonku galu (GaSb) została wybrana metoda Czochralskiego. Zbadano wpływ parametrów technologicznych procesu na właściwości niedomieszkowanych monokryształów GaSb. Otrzymano niedomieszkowane monokryształy o orientacji <111> oraz <100> o koncentracji nośników p< 2·10¹⁷ cm⁻³ oraz ruchliwości u > 600 cm²/Vs mierzonej w 300K. Przeprowadzono próby domieszkowania antymonku galu na typ n przewodnictwa (domieszkowanie tellurem) oraz na typ p przewodnictwa (jako domieszki użyto krzem). W obu przypadkach otrzymano monokryształy o orientacji <100>.

Gallium antimonide (GaSb) single crystals were grown by Czochralski method. The influence of technological parameters on GaSb parameters has been investigated. Undoped <111> and <100> oriented GaSb single crystals were obtained with carrier concentration p < 2·10¹⁷ cm⁻³ and mobility μ > 600 cm²/Vs (measured in 300K). Gallium antimonide doping were done for n-type of conductivity (by tellurium) and for p-type (by silicon). In both cases <100> oriented single crystals were obtained.