W pracy przedstawiono sposób otrzymywania i wyniki pomiarów właściwości fizycznych ceramiki (Pb1-xLax)(Zr1-yTiy)O3, gdzie x = 0,03 lub 0,06, y = 0,9 (PLZT) oraz (Pb1-xLax)[(Zr1-yTiy)1-zSnz]O3, gdzie x = 0,04, y = 0,9, z = 0,02, 0,04, 0,06, 0,08 (PLZTS). Materiały te należą do roztworów stałych tlenowooktaedrycznych o strukturze typu perowskitu. Badane materiały zostały wykonane przy użyciu klasycznej technologii ceramicznej z wykorzystaniem tlenków. Przedstawione zostały wyniki badań mikrostruktury, przenikalności elektrycznej oraz pętli histerezy P-E. W przypadku PLZT 3/90/10 stwierdzono, że materiał ten w temperaturze pokojowej wykazuje dobrze określone właściwości antyferroelektryczne. W przypadku PLZTS stwierdzono, że zależność między temperaturą Tm, w której występuje maksimum przenikalności elektrycznej, a zawartością cynianu ołowiu jest słaba. Analizując zależność ε(E) otrzymaną w wyniku obliczenia pochodnej zależności P-E stwierdzono, że PLZT 3/90/10 raczej nie jest odpowiednim materiałem do zastosowań w urządzeniach, w których potrzebna jest duża przenikalność elektryczna w silnych polach. Alternatywna ceramika PLZTs wykazywała jednak niską wartość przebicia elektrycznego.
EN
This paper presents the results of preparing and investigating the solid solutions of the formulae (Pb1-xLax)(Zr1-yTiy)O3, where x = 0.03 or 0.06, y = 0.9, (PLZT) and (Pb1-xLax)[(Zr1-yTiy)1-zSnz]O3, where x = 0.04, y = 0.9, z = 0.02, 0.04, 0,06, 0,08, (PLZTS). These materials belong to perovskite type oxygen octahedral compounds. The investigated ceramic samples were obtained by using the classical ceramic technology, utilizing oxides. The results of investigations of the microstructure, dielectric permittivity and P-E hysteresis loops are presented. In the case of PLZT 3/90/10 it has been stated that this material exhibits well defined antiferroelectric properties at room temperature. In the case of PLZTS it has been stated that there is rather weak dependency between the Tm temperature, at which the dielectric permittivity reaches its maximum value, and PbSnO3-content. Analysing the ε(E) relationship, which was obtained as the derivative of the P-E curve, it has been stated that PLZT 3/90/10 is rather not a suitable material to use in making devices that require high values of dielectric permittivity in high electric fields. Alternative PLZTS ceramics showed rather low fi elds of electric breakthrough.
2
Dostęp do pełnego tekstu na zewnętrznej witrynie WWW
The dielectric response of crystalline NH4H2PO4 and KH2PO4–SiO2 and NH4H2PO4–SiO2 composites prepared by embedding salts into porous glasses with the average pore diameter of 320 nm has been studied at the temperature range of 85–300 K. An increase of the structure phase transition temperatures in embedded salts has been observed, which is supposedly due to tensile deformations of embedded crystalline particles. The antiferroelectric phase transition in confined ADP particles becomes diffuse in the temperature region around 10 K.
Materials with induced antiferroelectric phase (SmCA * ) composed of components having synclinic (SmC* _) or orthogonal (SmA) phases have been studied. The characterization included profiles of light transmission curves, response times, threshold, saturation and holding voltages, grey scale, static and dynamic contrast ratio and cone angle between (+) and (-) ferroelectric states. The mixture A70-B30 showed V-shaped (thresholdless) switching, while the mixture 115-C85 showed a threshold with a broad hysteresis curve of tristate antiferroelectrics.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.