Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2011

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: annealing processes

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Wpływ wygrzewania na jakość warstw SiO₂ wytwarzanych na podłożach 4H-SiC metodą utleniania termicznego

Król K., Kalisz M., Sochacki M., Szmidt J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2011

Vol. 52, nr 7

93-95

W artykule przedstawiono wyniki badań dotyczących wpływu procesów niskotemperaturowego wygrzewania, stosowanego w procesie otrzymywania tlenku bramkowego do zastosowań w tranzystorze MOS, na właściwości elektrochemiczne warstw SiO₂ wytwarzanych metodą utleniania termicznego. W pracy przedstawiono wzajemne zależności pomiędzy składem chemicznym warstw analizowanym przy pomocy spektroskopu mas jonów wtórnych (SIMS), a właściwościami elektrycznymi kondensatorów MOS, w których funkcję dielektryka bramkowego pełniły analizowane warstwy SiO₂. Wygrzewania przeprowadzono w temperaturze 700 oraz 800° C stosując różne czasy trwania procesu. Najlepsze właściwości elektro-fizyczne interfejsu SiO₂/SiC otrzymano dla warstw wygrzewanych w temperaturze 800° C, natomiast najlepszymi właściwościami objętościowymi, biorąc pod uwagę krytyczne pole elektryczne, charakteryzowały się próbki wygrzewane w temperaturze 700° C. Dodatkowo zbadano wpływ wygrzewania w atmosferach azotowych na właściwości otrzymanych dielektryków.

We present research results on influence of postoxidation anneal treatment to thermal oxide guality obtained by high - temperature wet oxidation of 4H-SIC for usage in power MOSFET transistors. For proper evaluation of investigated oxides properties both Chemical characterisation methods (SIMS) and electrical methods were utilized. In order to extract electrical properties MOS capacitors ware fabricated using examined dielectric layers as gate dielectric. Postoxidation anneal included low - temperature oxygen treatment in 700° C and 800° C for different times and high - temperature nitridation using wet N₂O and dry N₂ anneal. We have obtained best SiO₂ /SiC properties for longer reoxidation times in 800° C followed by nitridation process, however best volume properties in terms of oxide breaking voltage Ubr value and uniformity characterized samples reoxedized in 700° C followed by nitridation process.