Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Zastosowanie związków powierzchniowo-czynnych do teksturyzacji podłoży krzemowych

Zubel I., Granek F., Rola K., Banaszczyk K.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2012

|

Vol. 53, nr 2

9-12

PL

W artykule przeanalizowano teksturowanie podłoży krzemowych Si(100) w roztworach wodorotlenków alkalicznych z dodatkami związków powierzchniowo czynnych. Przedstawiono utrudnienia technologiczne związane ze stosowaniem dodatków alkoholowych i zaproponowano nowy roztwór do teksturyzacji. Powszechnie stosowane w procesie alkohole (izopropanol, tert-butanol) zostały zastąpione diolami (alkoholami dwuwodorotlenowymi). Przedstawiono wyniki teksturowania w roztworze KOH z 1,2-pentanediolem. Dokonano optymalizacji składu roztworu i warunków trawienia. Wykonano pomiary współczynnika odbicia światła dla podłoży steksturowanych i dla podłoży pokrytych dodatkowo warstwą antyrefleksyjną. Współczynnik ten dla optymalnych warunków trawienia (1 M KOH+ 2% 1,2-pentanediolu, 90°C, 20 min) wynosił około 10% i był porównywalny ze współczynnikiem odbicia dla podłoży trawionych w KOH z izopropanolem. Niewątpliwe zalety roztworów z diolami (wyższa temperatura procesu, krótszy czas trawienia, ułatwienia technologiczne) wskazują, że mogą one z powodzeniem zastąpić dotychczas stosowane roztwory.

EN

Texturization of Si(100) surfaces in alkaline solutions with addition of surface active compounds was investigated in this paper. Technological difficulties connected with the application of alcohol additives were presented and the new composition of the etching solution for texturization was proposed. The commonly used alcohols such as isopropanol or tert-butanol were replaced by diols (alcohols containing two hydroxyl groups). The results of texturization in KOH solution with 1,2-pentanediol were shown. Optimization of the solution composition and the etching conditions was carried out. The coefficient of light reflection was measured for the textured surfaces with and without an additional anti-reflection coating. The coefficient obtained in the optimal etching conditions (1 M KOH+ 2% 1,2-pentanediol, 90°C, 20 min) was about 10% and was comparable to the reflection coefficient of the surfaces textured in the KOH+IPA solution. Because of the unquestionable advantages such as higher process temperature, shorter etching time and technological improvements, the etching solutions with diols can successfully replace hiherto used texturing solutions.

2

Etching of Si(100) and (110) substrates in KOH solutions saturated and son-saturated with isopropyl alcohol

Rola K., Zubel I., Kramkowska M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 3

50-53

EN

The process of silicon anisotropic etching in KOH solutions saturated with isopropyl alcohol (IPA) is currently the most frequently used process in silicon micromachining. In the work, the results of etching in KOH solutions with the IPA content below saturation lewel have been presented. On the basis of literature considerations of the phenomena occurring in water-alcohol solutions and the results of performed experiments, an analysis of the mechanism of Si substrates etching in KOH+IPA solutions with different compositions has been carried out.

PL

Anizotropowe trawienia krzemu w roztworach KOH nasyconych alkoholem izopropylowym jest procesem obecnie najczęściej wykorzystywanym do wytwarzania mikrosystemów krzemowych. W pracy przedstawiono rezultaty trawienia w roztworach KOH zawierających IPA poniżej poziomu nasycenia. Na podstawie opisywanych w literaturze zjawisk obserwowanych w roztworze woda - alkohol i rezultatów przeprowadzonych eksperymentów, przedstawiono rozważania dotyczące mechanizmu trawienia podłoży krzemowych w roztworach KOH - HPA o różnych składach.

3

Wspomagane mikrofalami anizotropowe trawienie krzemu monokrystalicznego

Walczak R., Dziuban J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2004

|

Vol. 45, nr 4

45-49

PL

W artykule przedstawiono nową metodę szybkiego anizotropowego trawienia krzemu. W metodzie tej roztwór trawiący aktywowano za pomocą mikrofali i trawienie prowadzono we wnęce mikrofalowej. Określono podstawowe parametry i właściwości tej metody. Stwierdzono, że szybkość trawienia krzemu była nawet kilkudziesięciokrotnie wyższa w porównaniu do tradycyjnego, aktywowanego termicznie trawienia. Największe przyspieszenie trawienia obserwowano dla roztworów o niskiej temperaturze. Technologiczną przydatność nowej metody trawienia potwierdzono wykonując kilka mikrostruktur krzemowych do mikrosystemów.

EN

In the paper, a new method of micromechanical, fast anisotropic etching of silicon has been presented. In the method, the microwave activation of the etchant and etching of silicon were carried out in the microwave cavity. The main parameters of the method have been determined. It has been found, that the etch rate was in order magnitude in comparison to standard, thermally activated processes. The highest acceleration of the etching rate has been observed in cold etchants. The technological usefulness of the described methods, has been successfully confirmed by the fabrication of a few silicon microstructures of microsystems.