Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2004

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: anisotropic etching of silicon

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Wspomagane mikrofalami anizotropowe trawienie krzemu monokrystalicznego

Walczak R., Dziuban J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2004

Vol. 45, nr 4

45-49

W artykule przedstawiono nową metodę szybkiego anizotropowego trawienia krzemu. W metodzie tej roztwór trawiący aktywowano za pomocą mikrofali i trawienie prowadzono we wnęce mikrofalowej. Określono podstawowe parametry i właściwości tej metody. Stwierdzono, że szybkość trawienia krzemu była nawet kilkudziesięciokrotnie wyższa w porównaniu do tradycyjnego, aktywowanego termicznie trawienia. Największe przyspieszenie trawienia obserwowano dla roztworów o niskiej temperaturze. Technologiczną przydatność nowej metody trawienia potwierdzono wykonując kilka mikrostruktur krzemowych do mikrosystemów.

In the paper, a new method of micromechanical, fast anisotropic etching of silicon has been presented. In the method, the microwave activation of the etchant and etching of silicon were carried out in the microwave cavity. The main parameters of the method have been determined. It has been found, that the etch rate was in order magnitude in comparison to standard, thermally activated processes. The highest acceleration of the etching rate has been observed in cold etchants. The technological usefulness of the described methods, has been successfully confirmed by the fabrication of a few silicon microstructures of microsystems.