Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2010

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: analiza zmienności procesu

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Operational amplifier for switched capacitor systems realized in various CMOS technologies

Długosz R., Pawłowski P., Dąbrowski A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2010

Vol. 51, nr 3

67-70

This paper presents a detailed investigation of a two-stage operational amplifier (OA), which is commonly used in switched-capacitor finite impulse response (SC FIR) filters. A proper selection of the OA structure for particular SC FIR filters is an important task, as it has a direct influence on the achievable data rate, power dissipation, chip area, as well as selectivity of the filter. Main parameters of the OA have been compared in the CMOS AMS 0.8 μm, 0.35 μm as well as in the TSMC 0.18 μm technologies. The best performance has been achieved in the 0.18 žm process, as expected. The gain bandwidth product (GBP) equals 1.9 GHz in this case, while the power dissipation is 600 μW at 1.8 V power supply. The chip area of a single OA, which equals 400 μm 2, is approximately 20 times smaller than in the 0.8 μm technology. The corner analysis for different temperatures, supply voltages, and several transistor models for the CMOS 0.18 μm process is also presented in the paper.

W artykule przedstawiono szczegółową analizę dwustopniowego wzmacniacza operacyjnego, powszechnie używanego w filtrach o skończonej odpowiedzi impulsowej wykonanych w technice przełączanych kondensatorów. Dobór właściwego do danego filtru wzmacniacza operacyjnego jest bardzo istotnym elementem projektu. Parametry wzmacniacza pośrednio wpływają na osiągane parametry: szybkość działania, pobór mocy, powierzchnię układu scalonego, a także selektywność filtru. W pracy porównano parametry wzmacniaczy wykonanych w technologiach CMOS AMS 0,8 μm, 0,35 μm, a także TSMC 0,18 μm. Zgodnie z oczekiwaniami najlepsze osiągi uzyskał wzmacniacz wykonany w procesie 0,18 žm. Iloczyn szerokości pasma i wzmocnienia osiągnął wartość 1,9 GHz, przy poborze mocy 600 μW i zasilaniu 1,8 V. Powierzchnia pojedynczego wzmacniacza operacyjnego równa się 400 μm2 i jest około 20-krotnie mniejsza niż w technologii 0,8 μm. Przeprowadzono również analizę zmienności procesu produkcyjnego dla różnych temperatur, napięć zasilania i kilku modeli tranzystorów w procesie CMOS 0,18 μm.