Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Finding multiple DC operating points of simulated submicrometer technology MOS circuits

Tadeusiewicz M., Ossowski M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2013

|

Vol. 54, nr 12

92-96

EN

The paper is focused on the analysis of circuits containing MOS transistors fabricated in submicrometer technology, having multiple DC operating points. The transistors are characterized by intricate models BSIM 3 and BSIM 4. To find the operating points an algorithm is proposed, based on the homotopy concept and the simplicial method. The algorithm is capable of finding multiple DC operating points but it does not guarantee finding all of them. The simplicial–homotopy procedure has been implemented in MATLAB, whereas the required circuit analyses are carried out using WinSpice and both environments have been joined together. For illustration three numerical examples are given.

PL

Praca dotyczy analizy obwodów, o wielu rozwiązaniach DC, zawierających tranzystory MOS, wykonane w technologii submikronowej. Tranzystory są reprezentowane za pomocą bardzo złożonych modeli BSIM 3 i BSIM 4. Zaproponowano metodę analizy numerycznej tej klasy obwodów, opartą na koncepcji homotopii i metodzie simplicjalnej. Metoda umożliwia obliczanie wielokrotnych rozwiązań DC, ale nie gwarantuje wyznaczenia wszystkich rozwiązań. Simplicjalno-homotopijna procedura została zaimplementowana w środowisku MATLAB, podczas gdy wymagane analizy obwodów są realizowane przy użyciu programu WinSpice, przy czym oba środowiska zostały połączone automatycznie. Dla ilustracji zamieszczono trzy przykłady obliczeniowe.

2

Analysis of CMOS circuits having multiple DC operating points

Hałgas M., Tadeusiewicz M.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2011

|

R. 87, nr 5

40-42

EN

This paper is devoted to the analysis of the circuits containing short-channel MOS transistors, having multiple DC solutions (operating points). The transistors are characterized by the PSP model, the most advanced surface-potential-based compact MOSFET model, selected (since December 2005) as standard for the new generation of integrated circuits. This paper offers an algorithm enabling us to find multiple DC solutions and trace multivalued input-output characteristics of integrated circuits using the latest PSP 103.1.1 MOSFET model. The main idea of the algorithm is based on a single-valued driving point characteristic, called a test characteristic and the section-wise piecewise-linear approximations. The approach proposed in this paper is illustrated via a numerical example.

PL

Praca dotyczy analizy układów zawierających tranzystory MOS z krótkim kanałem, mających wiele rozwiązań DC. Tranzystory są opisane za pomocą modelu PSP, najbardziej zaawansowanego, opartego na koncepcji potencjału powierzchniowego modelu MOSFET, uznanego w 2005 roku za standardowy w zastosowaniu do nowej generacji układów scalonych. W pracy zaproponowano algorytm obliczania wielokrotnych rozwiązań DC oraz wyznaczania wielowartościowych charakterystyk typu wejście-wyjście układów scalonych, z użyciem najnowszej wersji PSP 103.1.1 modelu MOSFET. W algorytmie wykorzystano pewne jedno-wartościowe charakterystyki wejściowe, zwane charakterystykami testowymi oraz uogólnioną odcinkowo-liniową aproksymację. Dla ilustracji podano przykład liczbowy.

3

Contraction and elimination methods for finding multiple DC solutions of bipolar circuits

Tadeusiewicz M., Hałgas S.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2010

|

R. 86, nr 1

11-13

EN

The paper is focused on the analysis of diode-transistor circuits having multiple DC solutions and brings two methods enabling us to find the solutions, without any piecewise-linear approximations. The first method is a modification of an earlier developed method, whereas the other is new and based on an original idea. Both the methods are implemented in an algorithm that guarantees finding all the DC solutions. Numerical experiments show that the proposed approach is efficient, the analysis is improved and the computation process is speeded up.

PL

Artykuł dotyczy analizy układów diodowo-tranzystorowych o wielu rozwiązaniach stałoprądowych. Zaproponowano dwie metody umożliwiające wyznaczanie tych rozwiązań bez konieczności stosowania aproksymacji odcinkowo-liniowej. Metody te zaimplementowano w postaci algorytmu gwarantującego znalezienie wszystkich rozwiązań DC. Eksperymenty numeryczne potwierdziły efektywność zaproponowanego podejścia.

4

Finding all the DC solutions of circuits containing diodes and bipolar transistors

Tadeusiewicz M., Hałgas S.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2009

|

Vol. 50, nr 12

39-42

EN

The paper deals with diode-transistor circuits having multiple DC solutions and offers two contraction and elimination methods enabling us to find all the DC solutions. They can be directly used to the circuits with constant parameters, when the chip is at fixed temperature, or merged into an earlier developed algorithm enabling us to analyze circuits with the thermal constraint. Numerical experiments show that the proposed approach is efficient and improves the analysis of transistor circuits having multiple DC solutions. It is illustrated via a numerical example.

PL

Praca dotyczy analizy układów diodowo-tranzystorowych o wielu punktach równowagi. Zaproponowano w niej dwie metody zawężania i eliminacji umożliwiające opracowanie algorytmu wyznaczania wszystkich rozwiązań stałoprądowych. Metody te mogą być użyte bezpośrednio do analizy układów o stałych parametrach, rozpatrywanych w ustalonej temperaturze lub wprowadzone, jako procedury, do wcześniej opracowanego algorytmu wyznaczania wszystkich rozwiązań DC z uwzględnieniem zjawiska samonagrzewania chipu. Przykłady numeryczne pokazały, że zaproponowane podejście jest skuteczne i usprawnia analizę układów tranzystorowych o wielu rozwiązaniach DC. Jeden z przykładów zamieszczono w pracy.