Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: amorphous layer

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Characterization of a-C:N:H, a-SiNx:H and a-SiCx:Ny:H layers deposited on various substrates

Dyndał K.

Inżynieria Materiałowa

2018

Vol. 39, nr 6

198--203

Amorphous hydrogenated carbon nitride layers, a-C:N:H, amorphous hydrogenated silicon nitride layers, a-SiNx:H and amorphous hydrogenated silicon carbonitride, a-SiCxNy:H, layers, fabricated on borosilicate glass and (001) oriented Czochralski silicon wafers by plasma assisted chemical vapour deposition, 13.56 MHz, were compared in this study. For reliable comparison the processing parameters, except temperature, were kept at the same level in each experiment. The layers containing silicon were grown at 473 K, while the layers without silicon were grown at 298 K. Methane, nitrogen and silane gaseous were used as carbon, nitrogen and silicon gaseous precursors respectively. The layers were subjected to structural studies by FTIR spectroscopy. The thicknesses of the layers and optical constants’ functions: refractive index n (λ) and extinction coefficient k (λ), were determined by spectroscopic ellipsometry. Wollam M2000 ellipsometer was used to measure ellipsometric angles Psi (Ψ) and Delta (Δ) within 200÷1800 nm spectral range at three different angles of incidence 65°, 70° and 75°. The differences between structure and properties of the layers were indicated, as well as differences between the same layers deposited on various substrates. The results show that the layers grown on glass and Si are similar materials. Optical constants do not differ much. However, clear differences are seen, when thicknesses of the layers are compared. As a rule, the layers deposited on glass are thicker. A proposed explanation is related to the energy of the bonds C–O and Si–O for the layers deposited on glass and C–Si and Si–Si when the layers were deposited on Si wafers.

Metoda PACVD należy do obiecujących metod inżynierii powierzchni. Pozwala modyfikować warstwę wierzchnią różnego typu materiałów, jak metale, szkło, a nawet polimery, z zastosowaniem zróżnicowanych warstw pod względem składu chemicznego i struktury. Zastosowanie plazmy jako ośrodka niekonwencjonalnej syntezy pozwala obniżyć temperaturę procesu, co jest szczególnie korzystne w przypadku podłoży wrażliwych na działanie wysokiej temperatury. Technika PACVD wymaga ścisłego określenia parametrów procesu: temperatury, ciśnienia, mocy generatora plazmy, czasu osadzania, rodzaju i przepływu gazowych reagentów. Celem tej pracy jest wyznaczenie i porównanie grubości oraz właściwości optycznych (współczynników załamania i współczynników ekstynkcji) warstw osadzonych na szkle borokrzemowym i monokrystalicznym krzemie Si (001) z zastawaniem metody PACVD, 13,56 MHz. Otrzymane i badane były amorficzne uwodornione warstwy: węgla dotowanego azotem (a-C:N:H), azotku krzemu (a-SiNx:H) oraz węgloazotku krzemu (a-SiCxNy:H).

Amorphous a-C:N:H layers formation by Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition.

Dul K., Łagosz I., Jonas S., Ptak W.

Inżynieria Materiałowa

2001

R. XXII, nr 4

296-298

Amorphous a-C:N:H layers were deposited at room temperature on (100) silicon, quartz glass, steel substrates by RFCVD (radio frequency chemical vapour deposition) and MWCVD (microwave chemical vapour deposition). A gas mixture of methane, nitrogen and argon is used as the reactive gas. The films have been characterised by XPS, FTIR.

Amorficzne warstwy a:C:N:H na (100) krzemie, kwarcowym szkle i stali otrzymano w pokojowej temperaturze metodą chemicznego osadzania z fazy gazowej wspomaganej plazmą o częstotliwości radiowej oraz mikrofalowej. Jako reagenty stosowano mieszaninę metanu, azotu i argonu. Skład chemiczny i strukturę warstw badano rentgenowską spektoskopią fotoelektronów (XPS) i fourierowską spektroskopią w podczerwieni (FTIR).