Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Bezpośrednia radiografia cyfrowa

Jezierski G.

Postępy Techniki Jądrowej

|

2017

|

z. 2

37--44

PL

Dynamiczny rozwój radiografii cyfrowej (bazującej na elektronice) jaki obserwujemy w ostatnich latach skutkuje także zastosowaniem tej techniki do badań nieniszczących w przemyśle (NDT). Jednakże biorąc pod uwagę istotne różnice, przede wszystkim znacznie wyższe energie promieniowania rentgenowskiego stosowane do badania różnych obiektów przemysłowych (np. złącza spawane, odlewy, połączenia w elektronice), jak również konieczność dysponowania niekiedy lekkimi, przenośnymi detektorami powoduje, że nie da się bezpośrednio przenieść rozwiązań z medycyny do przemysłu. W niniejszej publikacji przedstawiono współczesne trendy oraz praktyczne rozwiązania detektorów cyfrowych do zastosowań w NDT.

EN

Application of digital radiography (based on electronics) for imaging in medical practice has been recently dynamically developing, which results in implementation of this technique to industrial non-destructive testing (NDT). However, with respect to significant differences that include, first of all, much higher X-ray energies used for testing various object in industry (e.g. welds, castings, joints in electronic engineering) and often also necessity of using light, portable digital detectors, it is impossible to transfer solutions directly from medicine to industry. In this paper, modern trends and practical solutions of digital detectors designed for NDT are presented.

2

Otrzymywanie i właściwości warstw a-Si:H do zastosowań w fotowoltaice

Pieczyńska E., Boszkowicz P., Jurzecka-Szymacha M.

Logistyka

|

2013

|

nr 4

PL

W pracy przedstawiono wyniki badań nad otrzymywaniem, budową i właściwościami amorficznych, uwodornionych warstw krzemowych, a-Si:H. Wykonane badania dotyczą warstw otrzymanych z zastosowaniem metody chemicznego osadzania z fazy gazowej ze wspomaganiem plazmy (metoda PACVD). Badaniom poddano serię warstw osadzonych, w różnych temperaturach, na podłożu monokrystalicznego krzemu. W ocenie budowy i właściwości warstw wykorzystano metodę mikroskopii skaningowej (SEM) oraz techniki spektroskopowe: spektroskopię absorpcyjną w podczerwieni (FTIR), spektroskopię dyspersji energii promieniowania rentgenowskiego (EDS) i spektroskopię elipsometryczną. Uzyskane wyniki pokazują, że obserwowane zależności pomiędzy temperaturą procesu PACVD a mierzonymi właściwościami warstw nie są monotoniczne. Większość mierzonych parametrów pokazuje zmianę monotoniczności dla warstw otrzymanych w temperaturach z zakresu 150÷350 ºC. Za szczególnie ważny rezultat należy uznać, że wygrzewanie warstw w temperaturze 300 ºC nie zmienia ich parametrów optycznych.

EN

Amorphous silicon layers, containing hydrogen (a-Si:H), are important material for photovoltaics. The layers to be used in the production of highly effective solar cells must possess some relevant properties: density, chemical composition (H content), optical parameters and thickness. The most important optical parameters include: absorption coefficients, refractive index and optical gap. The studies on receiving a-Si:H layers with optimal parameters are conducted in many laboratories. The aim of the present studies is to complete a state of knowledge on a-Si:H layers by the results obtained for the layers deposited by Radio-Frequency Plasma-Assisted Chemical Vapour Deposition (RF PACVD). Technological parameters of the processing have been optimized, and structure and properties of the layers deposited at various temperatures have been investigated. The results show that the temperature is an important technological parameter, which does not affect the layer growth rate significantly, but influences the optical parameters. The observation that the optical parameters of the layers obtained in the RF PACVD do not change by annealing, is considered as a particularly important outcome of the research. The measurements of optical parameters were performed using spectroscopic ellipsometer JA Woollam Co., Inc.. M-2000 of the spectral range from 193 to 1690 nm.

3

Nowa metoda regeneracji modułów fotowoltaicznych z amorficznego krzemu

Grzesiak W., Radziemska E.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2009

|

R. 85, nr 11

129-131

PL

Efekt degradacyjny Staeblera-Wrońskiego powoduje spadek sprawności ogniw fotowoltaicznych z amorficznego krzemu do 40% wartości początkowej. Stosunkowo skuteczną metodą regeneracji modułów z amorficznego krzemu jest metoda termiczna, polegająca na podgrzewaniu czynnej substancji fotowoltaicznej modułu do określonej temperatury w ciągu określonego czasu. Oba te ostatnie parametry nie zostały jak dotąd zoptymalizowane zarówno z racji nowości idei, jak i braku skutecznie i racjonalnie działającego oprzyrządowania. Przedsięwzięcia techniczne i wysiłki zainicjowane niniejszym opracowaniem mają na celu wytyczyć ramy termicznej metody regeneracyjnej modułów PV, odsłonić jej perspektywy i ograniczenia.

EN

Photoconductivity and dark conductivity of a-Si:H decrease as a result of prolonged exposure to light. This effect, discovered by Staebler and Wronski, is reversible and the original conductivities could be recovered by annealing. The process of annealing can be performed by application of small flat heaters above the surface of modules. This way a substantial regeneration degree of degraded modules efficiency can be achieved. The degree of efficiency recovery is a function of temperature and time of exposure to heating. Thermal annealing of modules at lower temperature (90 ÷ 110oC) is possible. This annealing process lasts at least 12 – 15 hours. The method looks to be energetically efficient and practically applicable.

4

Gradientowe warstwy a-SiNx:H osadzane plazmochemicznie w układzie RF CVD

Jurzecka-Szymacha M., Kluska S., Tkacz-Śmiech K.

Inżynieria Materiałowa

|

2008

|

Vol. 29, nr 6

768-771

PL

Warstwy amorficznego krzemu (a-Si:H), amorficznego azotku krzemu (a-SiNx:H) oraz układy warstwowe (a-Si:H - a-SiNx:H) osadzono na podłożach Si (001) z zastosowaniem metody PE CVD, w rozwiązaniu RF CVD. W ośmiominutowym procesie syntezy uzyskano warstwy o grubościach rzędu 550÷750 nm, zależnie od typu. Jako prekursorów gazowych użyto SiH4, N2 i H2. Skład chemiczny warstw określono za pomocą spektroskopii XPS. Dyskusję odnośnie budowy atomowej otrzymanych materiałów przeprowadzono na podstawie wyników z pomiarów widma FT IR w zakresie 400÷4000 cm-1. Potwierdzono, że w strukturze warstw a-Si:H dominują wiązania Si-Si oraz terminalne wiązania Si-H. Budowa warstw a-SiNx:H zdominowana jest obecnością wiązań Si-N. Stosunek [N]/[Si] w tych warstwach jest bliski stechiometrii azotku krzemu [N]/[Si] ? 1,4. W warstwach zawierających azot nie stwierdzono obecności tlenu. Dowodzi to ich szczelności i przesądza o atrakcyjności w roli materiałów wielofunkcyjnych do zastosowań w (mikro/opto)elektronice i fotowoltaice.

EN

Layers of amorphous silicon (a-SI:H), amorphous silicon nitride (a-SiNx:H) and two-layer systems (a-Si:H - a-SiNx:H) were deposited on Si (001) wafers. PE CVD technique in RF CVD solution was applied. The layers of the thickness of the order 550 - 750 nm were deposited. The synthesis was carried on for 8 minutes with application of SiH4, N2 and H2 as reactive gases. Chemical composition of the layers was determined from XPS spectra. A discussion concerning atomic structure was based on FT IR spectra measured within 400 - 4000 cm-1 range. A presence of Si-Si and terminal Si-H bonds has been confirmed for a-Si:H layers. A structure of a-SiNx:H layers is dominated by Si-N groups. The [N]/[Si] is close the stoichiometric value and equals 1,4. It is confirmed that there is no oxygen in the structure of the silikon nitride layers. It makes the layers attractive material for applications in (micro/opto)electronics and photovoltaics.