Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2012

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: ammonothermal

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

AMMONO-GaN substrates for microwave and RF electronics applications

Dwiliński R., Doradziński R., Sierzputowski L., Kucharski R., Zając M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2012

Vol. 53, nr 7

11-13

Bulk GaN crystals are regarded as the most promising candidates for substrates for optoelectronic, high power and high frequency electronic devices. In this paper some principles of ammonothermal method of bulk gallium nitride growth are presented. Excellent structural properties and wide spectrum of electrical parameters of obtained this way truły bulk GaN crystals are shown. In considered crystals a Iow dislocation dens ity (5x10³ cm²) is attainable. High crystallinity is manifested by extremely fiat crystal lattice and very narrow (FWHM=16 arcsec) X-ray rocking. Both polar and nonpolar ammonothermal GaN substrates enabled to grow high quality, strain-free homoepitaxial layers and AlGaN/GaN heterostructures. This may enable a breakthrough in manufacturing of aforementioned high power electronic devices.

Objętościowe kryształy GaN uważane są za najbardziej obiecujące materiały do zastosowań w produkcji przyrządów optoelektronicznych i elektronicznych wysokiej mocy i wysokiej częstości. W tym artykule przedstawiony zostanie ogólny zarys metody amonotermalnej wzrostu objętościowego GaN. Doskonałe własności strukturalne i szerokie spektrum własności elektrycznych otrzymywanych tą metodą kryształów zostaną zaprezentowane. W rozważanych kryształach bardzo niska gęstość dyslokacji (5x10³ cm²) jest osiągana. Wysoka jakość strukturalna objawia się bardzo płaską siecią krystaliczną, jak również niską szerokością krzywej odbić promieniowania X (FWHM=16 arcsec). Zarówno polarne, jak i niepolarne podłoża AMMONO-GaN umożliwiają wzrost wysokiej jakości, nienaprężo nych warstw homoepitaksjalnych i heterostruktur AlGaN/GaN, co może spowodować przełom w produkcji wspomnianych wyżej przyrządów elektronicznych wysokiej mocy.