W artykule omówiono fazy glinianowe w formowanych materiałach ogniotrwałych. Obecność tych faz z jednej strony jest rezultatem świadomego działania technologa na etapie projektowania i wytwarzania formowanych materiałów ogniotrwałych, z drugiej zaś może być wynikiem procesów korozyjnych, które towarzyszą pracy wyłożeniom ogniotrwałym w urządzeniach cieplnych przemysłu cementowego i stalowniczego. Gliniany w formowanych materiałach ogniotrwałych zostają wprowadzone w postaci gotowego produktu do wyrobu lub powstają in situ w materiale podczas jego wypalania. Modyfikowanie składu fazowego i mikrostruktury formowanych tworzyw ogniotrwałych fazą glinianową ma na celu poprawę ich właściwości. Z kolei, oddziaływanie wysokoalkalicznego środowiska na formowany materiał ogniotrwały skutkuje syntezą wtórnych faz glinianowych. Powstawaniu nowych faz towarzyszy zwiększenie objętości, prowadzące do pogłębienia korozji, a w efekcie całkowitego zniszczenia wyrobu ogniotrwałego.
EN
The aluminate phases in the shaped refractories were discussed. On the one hand, the presence of these phases is the result of conscious action by the process engineer in a design and manufacturing process of shaped refractories. On the other hand may be the result of the corrosion processes that accompany refractory linings work in the cement and steel industries. Aluminates in shaped refractories are introduced to refractory as a final product or may form in situ during fi ring of bricks. Phase composition and microstructure modifications of shaped refractories using aluminate phases improve their properties. The influence of the high alkaline environment on shaped refractory results in the phase synthesis of secondary aluminates. Process of formation of new phases is accompanied with the increasing volume, which lead to the corrosion deepening and ultimately, the complete destruction of the refractory product. The same processes are observed in the unshaped refractories.
The paper reviews recent work in the area of high-k dielectrics for application as the gate oxide in advanced MOSFETs. Following a review of relevant dielectric physics, we discuss challenges and issues relating to characterization of the dielectrics, which are compounded by electron trapping phenomena in the microsecond regime. Nearly all practical methods of preparation result in a thin interfacial layer generally of the form SiOx or a mixed oxide between Si and the high-k so that the extraction of the dielectric constant is complicated and values must be qualified by error analysis. The discussion is initially focussed on HfO2 but recognizing the propensity for crystallization of that material at modest temperatures, we discuss and review also, hafnia silicates and aluminates which have the potential for integration into a full CMOS process. The paper is concluded with a perspective on material contenders for the "end of road map" at the 22 nm node.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.