Kompozyty polikrystalicznego diamentu PCD są okrągłymi dyskami składającymi się z cienkiej warstwy polikrystalicznego diamentu związanego z warstwą podłożową z węglika spiekanego. Dostępne komercyjnie PCD są zazwyczaj wytwarzane przez wysokociśnieniowe spiekanie proszków diamentowych z kobaltową fazą wiążącą. Obecność kobaltu aktywuje proces grafityzacji diamentu. Różnica rozszerzalności temperaturowej warstwy PCD i podłoża z węglika spiekanego może powodować wystąpienie naprężeń szczątkowych i następnie delaminację materiału. Modyfikacja właściwości tego materiału jest możliwa przez zastosowanie odpowiedniego rodzaju materiału fazy wiążącej, na przykład Ti3SiC2, który wykazuje pseudoplastyczne właściwości. Celem badań było wykonanie matematycznych obliczeń rozkładu faz dla materiałów gradientowych diament-Ti3SiC2, które były weryfikowane z rozkładem faz w kompozytach po procesie spiekania techniką HP-HT. W pracy zaproponowano algorytm do opisu sedymentacji grup sferycznych cząstek o różnorodnych rozmiarach i z różnorodnych materiałów. Główne obliczenia dla tego układu i prawdziwych warunków procesu zagęszczania wirówkowego HCP są wykonane za pomocą równania Barnea-Mizrahi. Proces osadzania dla układu diament-Ti3SiC2 przeprowadzono w ultrawirówce UP 65M z prędkością obrotową rotora 20 000 obr/min. Rozkład rozmiarów ziaren dla proszków diamentu i Ti3SiC2 zmierzono z użyciem aparatury Shimadzu. Rozkład twardości dla kompozytu diamentowego z gradientem składu fazowego zmierzono i porównano do koncentracji diamentu i węglika W, zależnej od czasu opadania proszków t diamentu i węglika oraz od odległości.
EN
The polycrystalline diamond PCD compacts are a round disks composite of a thin layer of sintered polycrystalline diamond bonded to a cemented tungsten carbide substrate. Commercially available PCD are usually made by high pressure sintering diamond powders with the cobalt bonding phase. The existence of cobalt promotes the graphitisation process of diamond. The differential thermal expansion of PCD layer and tungsten carbide substrate may result in residual stresses and next, delamination of material. Modification properties of these materials is possible using suitable kind of the bonding phase material, for example the ceramics Ti3SiC2 material, which is exhibiting pseudoplastics behaviour. The aim of the research was execution of mathematical calculations of the phases distribution for the phase graded diamond - Ti3SiC2 compacts which were verified with phases distribution in compacts after the high pressure - high temperature sintering process. An algorithm to describe sedimentation of the group of spherical particles of different sizes and different materials was proposed. Main calculations for this system and for real conditions of the high-speed centrifugal compaction process are made using the Barnea-Mizrahi equation. Deposition process for diamond - Ti3SiC2 was carried out using the ultra centrifuge UP 65M with rotational speed of 20 000 rpm. Particle size distribution for the diamond and Ti3SiC2 powders were measured using Shimadzu apparatus. Hardness distribution for diamonds composite with phase composition gradient was measured and compared to the concentration of diamond and carbide W for diamond and Ti3SiC2 powders dependence on distance.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.