Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Przegląd Elektrotechniczny

1 2015

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: active device

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Parametry tranzystorów GaN HEMT – wyniki I etapu projektu PolHEMT

Wojtasiak W., Gwarek W., Piotrowska A., Kamińska E.

Przegląd Elektrotechniczny

2015

R. 91, nr 9

211-215

Celem projektu PolHEMT jest opracowanie nowego typu tranzystora mikrofalowego na pasmo S z wykorzystaniem struktur AlGaN/GaN hodowanych na podłożach z półizolacyjnego monokrystalicznego GaN wytwarzanych metodą ammonotermalną (Ammono). Referat stanowi krótkie podsumowanie pierwszego etapu projektu w formie zestawienia parametrów elektrycznych struktur GaN PolHEMT i komercyjnych tranzystorów GaN HEMT produkowanych przez wiodące firmy.

The aim of the PolHEMT project is to develop a new type of microwave transistor for S-band using the structures of AlGaN/GaN grown on a uniques type of material – a semi-insulating monocrystalline GaN substrate manufactured by ammonotermal method (Ammono). The paper provides a brief summary of the first phase of the project. It presents a report on obtained electrical parameters of GaN structures and compares them against the parameters of commercial GaN HEMT transistors manufactured by leading companies.