Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: acid etching

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Etching and ellipsometry studies on CL-VPE grown GaN epilayer

Puviarasu P.

Materials Science Poland

2017

Vol. 35, No. 1

135--139

The surface morphological characteristics of wet chemical etched GaN layers grown at different temperatures on (0 0 0 1) sapphire substrates by Chloride-Vapor Phase Epitaxy (Cl-VPE) have been studied using optical microscope. Significant surface morphology changes have been observed in correlation to the growth temperature and etching time. Also optical properties of the as grown and high-energy silicon (Si) ion irradiated gallium nitride (GaN) epilayers were studied using monochromatic ellipsometry. The effect of ion fluences on the refractive index of the GaN has been investigated and it has been found to decrease with an increase of ion fluence. This decrease is attributed to irradiation-induced defects and polycrystallization which plays an important role in determining the optical properties of silicon (Si) ion irradiated GaN layers.

Silicon solar cells efficiency improvement by the wet chemical texturization in the HF/HNO3/diluent solution

Kulesza G., Panek P., Zięba P.

Archives of Metallurgy and Materials

2013

Vol. 58, iss. 1

291-295

The paper presents the results of the texturization process of the multicrystalline silicon wafers carried out in ternary HF/HNO3/diluent solution, where the diluent was either CH3COOH or H2O, at varying HF/HNO3 volume ratio and different time of texturization process. The technique of scanning electron microscopy was used to characterize the morphology of the obtained multicrystalline silicon surfaces, with subsequent surface reflectivity measurements. The appropriate selection of mixture components lead to a significant reduction in the reflectivity of the incident solar radiation in the relatively short time of 60 seconds. The resultant electric parameters were nearly the same as those for the commercial samples but obtained after 3 minutes.

Autorzy zaprezentowali wyniki badań dotyczących procesu teksturyzacji w roztworze HF/HNO3/rozpuszczalnik stosowanego dla płytek krzemu multikrystalicznego, gdzie jako rozpuszczalnik stosowano zamiennie CH3COOH oraz H2O. W badaniach jako zmienne przyjęto objętościowy stosunek HF/HNO3 oraz czas procesu. Morfologia powierzchni uzyskana po chemicznej modyfikacji krzemu została scharakteryzowana przy użyciu skaningowej mikroskopii elektronowej, a następnie zbadano wpływ takiego ukształtowania powierzchni na odbicie promieniowania słonecznego. Autorzy wykazali, że odpowiednie dobranie składu mieszaniny trawiącej pozwala na uzyskanie najniższych wartości odbicia w stosunkowo krótkim czasie 60 sekund. Ponadto parametry elektryczne zmodyfikowanych ogniw słonecznych nie odbiegały od tych uzyskanych komercyjnie w czasie trzykrotnie dłuższym.