Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Przegląd Elektrotechniczny

1 2012

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: absorbing layer

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Effect of absorbing layer thickness on efficiency solar cells based on Cu(In,Ga)(S,Se)2

Tivanov M., Astashenok L., Fedotov A., Węgierek P.

Przegląd Elektrotechniczny

2012

R. 88, nr 7a

321-323

On the basis of one-dimensional model of the solar cell (SC) the influence of photoactive layer thickness on the photocurrent (a key parameter for the collection efficiency of photogenerated charge carriers) of a has been studied. It is shown that for a typical Cu(In,Ga)(S,Se)2 - based SC the optimal value of the photoactive layer thickness is about 1.5 žm. Reducing the thickness of the photoactive layer leads to a sharp decrease in the photocurrent and increase the series resistance.

Na podstawie jednowymiarowego modelu ogniwa słonecznego zbadano wpływ grubości warstwy fotoaktywnej na natężenie fotoprądu (parametru kluczowego dla ustalania sprawności fotogenerowanych nośników ładunku). Wykazano, że dla typowych ogniw słonecznych opartych o Cu(In,Ga)(S,Se)2 optymalną wartością grubości warstwy fotoaktywnej jest w przybliżeniu 1,5 žm. Redukując grubość warstwy fotoaktywnej doprowadzono do gwałtownego spadku wartości fotoprądu i wzrostu rezystancji szeregowej.