Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2010

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: a-Si:N:H

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Amorficzne warstwy uwodornione typu a-Si:C:H oraz a-Si:N:H do zastosowań w ogniwach słonecznych jako pokrycia antyrefleksyjne

Swatowska B., Stapiński T.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2010

Vol. 51, nr 5

25-28

W pracy przedstawiono propozycję zastosowania amorficznych warstw uwodornionych typu a-Si:C:H oraz a-Si:N:H jako pokrycia antyrefleksyjne krzemowych ogniw słonecznych. Wspomniane warstwy otrzymywano metodą chemicznego osadzania z fazy gazowej PECVD. Do ich wytwarzania wykorzystano mieszaniny gazowe: CH 4 + SiH 4 oraz NH 3 + SiH4. Zbadano właściwości strukturalne i morfologiczne otrzymanych warstw a także określono ich parametry optyczne: współczynnik załamania n, przerwę optyczną E g oraz współczynnik odbicia efektywnego R eff . Wartości tychże parametrów oraz ich wpływ na właściwości krzemowych ogniw słonecznych, pozwoliły wytypować optymalne warunki technologiczne do otrzymywania efektywnych pokryć antyrefleksyjnych tego rodzaju.

In this work we propose to apply amorphous hydrogenated thin films a-Si:C:H and a-Si:N:H application as antireflective coatings. These kind of films were obtained by PECVD method from CH 4 + SiH 4 and NH 3 + SiH 4 gaseous mixtures. The structural and morphological properties of analyzed films were investigated. On base of optical and structural research the main properties of amorphous films like: refractive index n, energy gap E g , effective reflection coefficient R rff , thickness d and hydrogen bondings content were found. The correlation of material properties with technological process enabled us to find optimal conditions of ARC preparation for solar cells application.