Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: ZnO nanowires

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

ZnO Nanowires Grown on Al2O32O4 Nanostructure Using Solid-Vapor Mechanism

Zajkowska-Pietrzak Wiktoria, Turczyński Jakub, Kurowska Bogusława, Teisseyre Henryk, Fronc Krzysztof, Dąbrowski Jerzy, Kret Sławomir

Archives of Metallurgy and Materials

2023

Vol. 68, iss. 3

1177--1182

We present Al2O3-ZnAl2O4-ZnO nanostructure, which could be a prominent candidate for optoelectronics, mechanical and sensing applications. While ZnO and ZnAl2O4 composites are mostly synthesized by sol-gel technique, we propose a solid-vapor growth mechanism. To produce Al2O3-ZnAl2O4-ZnO nanostructure, we conduct ZnO:C powder heating resulting in ZnO nanowires (NWs) growth on sapphire substrate and ZnAl2O4 spinel layer at the interface. The nanostructure was examined with Scanning Electron Microscopy (SEM) method. Focused Ion Beam (FIB) technique enabled us to prepare a lamella for Transmission Electron Microscopy (TEM) imaging. TEM examination revealed high crystallographic quality of both spinel and NW structure. Epitaxial relationships of Al2O3-ZnAl2O4 and ZnAl2O4-ZnO are given.

Effects of Al doping on the morphology of ZnO nanowires and the properties of dye-sensitized solar cells

Wang Yanxiang, Li Jing, Sun Jing

Materiały Ceramiczne

2019

T. 71, nr 4

334--340

ZnO nanowire photoanodes were prepared by a simple chemical bath method. The influence of doping Al into ZnO seed layer, dipping times of seed layers and the growth times of ZnO nanowires on the morphology of ZnO nanowires and photoelectric performance of dye-sensitized solar cells were mainly investigated. The results showed that when the ZnO seed layer was doped with 9 at.% Al, both dipping times of seed layer solution and growth times of films were 9; ZnO photoanodes with nanowires and nanosheets composite structure were obtained. The length of the ZnO nanowires reached about 15μm. The power conversion efficiency, open circuit voltage, short-circuit photocurrent density and fill factor of the corresponding cells were 2.36%, 0.66 V, 5.28 mA•cm-2, and 0.62, respectively.

Fotoanody zbudowane z nanodrutów ZnO zostały przygotowane prostą metodą kąpieli chemicznej. Badano głównie wpływ domieszkowania Al warstwy zarodkowej ZnO, czasu zanurzenia warstw zarodkowych i czasu wzrostu nanodrutów ZnO na morfologię nanodrutów ZnO i parametry fotoelektryczne ogniw słonecznych uświatłoczulonych barwnikiem. Wyniki pokazały, że gdy warstwa zaszczepiająca ZnO była domieszkowana 9% at. Al, zarówno czasy zanurzania w roztworze zaszczepiającym warstwę, jak i czasy wzrostu filmów wynosiły 9; otrzymano wówczas fotoanody ZnO z nanodrutami i strukturą kompozytową nanoskładników. Długość nanodrutów ZnO osiągnęła około 15 μm. Efektywność konwersji mocy, napięcie w obwodzie otwartym, gęstość zwarciowa fotoprądu i współczynnik wypełnienia odpowiednich ogniw wynosiły odpowiednio 2,36%, 0,66 V, 5,28 mA•cm-2 i 0,62.