Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: ZnMgO

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

ZnO-based terahertz quantum cascade lasers

Sirkeli Vadim

Opto-Electronics Review

2019

Vol. 27, No. 2

119--122

High-power terahertz sources operating at room-temperature are promising for many applications such as explosive materials detection, non-invasive medical imaging, and high speed telecommunication. Here we report the results of a simulation study, which shows the significantly improved performance of room-temperature terahertz quantum cascade lasers (THz QCLs) based on a ZnMgO/ZnO material system employing a 2-well design scheme with variable barrier heights and a delta-doped injector well. We found that by varying and optimizing constituent layer widths and doping level of the injector well, high power performance of THz QCLs can be achieved at room temperature: optical gain and radiation frequency is varied from 108 cm−1 @ 2.18 THz to 300 cm−1 @ 4.96 THz. These results show that among II–VI compounds the ZnMgO/ZnO material system is optimally suited for high-performance room-temperature THz QCLs.

Struktury kwantowe ZnMgO/ZnO/ZnMgO wykonywane metodą MBE

Kozanecki A., Sajkowski J., Stachowicz M., Przeździecka E., Syperek M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2014

Vol. 55, nr 9

13-15

Tlenek cynku i struktury kwantowe ZnMgO/ZnO/ZnMgO uważane są za bardzo obiecujące materiały do zastosowań optoelektronicznych, ze względu na wartość przerwy energetycznej Eg > 3,3 eV i energię wiązania ekscytonu >60 meV. W tej pracy przedstawione zostaną wyniki naszych badań pojedyńczych studni (QW) i wielostudni kwantowych ZnMgO/ZnO/ZnMgO, otrzymywanych metodą epitaksji z wiązek molekularnych na różnych podłożach takich jak szafir. Zaprezentowane zostaną właściwości optyczne układów podwójnych studni kwantowych otrzymanych na podłożach szafirowych. Przedyskutowane zostaną mechanizmy oddziaływania między studniami, w szczególności zostanie pokazany wpływ sprzężenia między studniami na emisję ekscytonową.

Zinc oxide is considered as a very attractive semiconductor for applications in optoelectronics, because of its wide band gap, Eg, of 3.3 eV and large exciton binding energy of 60 meV. ZnMgO alloy has been considered as a suitable material for the barrier layers in ZnMgO/ZnO/ZnMgO superlattice structures, because alloying of ZnO with MgO (Eg~7.7 eV) enables widening of the bandgap of ZnO up to at least 4.5 eV without loss of crystalline quality. In ZnMgO/ZnO/ZnMgO quantum wells the binding energy of excitons increases up to 100 meV which promises obtaining of efficient electroluminescence in devices operating on excitonic transitions at room temperature. In this presentation the results of our studies of single and multiple quantum well structures of ZnMgO/ZnO/ZnMgO grown by MBE on different sapphire will be presented. Optical properties of asymmetric coupled quantum wells grown on crystalline ZnO and on sapphire will be discussed. In particular, the influence of interwell coupling on the excitonic emission will be shown.