Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2008

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: Y2/3CuTa4O12

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Otrzymywanie i charakterystyka właściwości ceramiki Y2/3CuTa4O12 jako dielektryka kondensatorów z zaporową warstwą wewnętrzną

Szwagierczak D., Kulawik J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2008

Vol. 49, nr 11

73-76

W artykule przedstawiono syntezę i warunki spiekania nowego materiału ceramicznego Y2/3CuTa4O12 o wysokiej przenikalności elektrycznej. Wyniki badań zespolonej impedancji ceramicznych próbek, przeprowadzone w zakresie częstotliwości 10Hz...2MHz w szerokim zakresie temperatur -170...700°C, były analizowane w formalizmach impedancji, przenikalności i modułu elektrycznego. W badanym zakresie częstotliwości i temperatur wyróżniono dwa rodzaje odpowiedzi związane z półprzewodnikowymi ziarnami i izolacyjnymi granicami ziaren. Dielektryczne zachowanie przypisano spontanicznemu tworzeniu się kondensatorów z zaporową warstwą wewnętrzną.

In this paper the synthesis and sintering conditions of a new ceramic high permittivity material Y2/3CuTa4O12 are presented. Complex impedance studies of the ceramic samples carried out in the frequency range 10Hz...2MHz and over wide temperature range -170...700°C were analyzed in impedance, permittivity and electric modulus formalisms. Two distinct contributions attributed to semiconducting grains and insulating grain boundaries were distinguished in the studied frequency and temperature ranges. The dielectric behavior of the ceramics was ascribed to the spontaneous formation of internal barrier layer capacitors.