Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Komplementarne zastosowanie metod dyfrakcji i spektroskopii absorpcyjnej promieniowania X do charakteryzacji cienkich warstw Ti-Si-C

Ławniczak-Jabłońska K., Klepka M. T., Wolska A., Dynowska E., Borysiewicz M. A., Piotrowska A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2012

|

Vol. 53, nr 9

28-31

PL

Przedstawiono wyniki komplementarnej charakteryzacji, technikami XRD i XAS, cienkich warstw Ti-Si-C osadzanych metodą wysokotemperaturowego magnetronowego rozpylania katodowego na podłożach szafirowych (00.1) z wykorzystaniem targetów pierwiastkowych Ti, Si i C. Badania dyfrakcyjne wykazały silną zależność składu fazowego warstw od wielkości mocy podawanych na poszczególne targety podczas ich osadzania, natomiast badania spektroskopii absorpcyjnej pozwoliły na określenie zmian w funkcji tej mocy lokalnego, uśrednionego porządku atomowego w otoczeniu atomów Ti i porównanie go z porządkiem jaki powinien występować w modelowym związku Ti₃SiC₂. Wykonano dwie grupy próbek: o relatywnie wysokiej mocy targetu Si i średniej targetu C oraz o względnie niskiej mocy targetu Si i wysokiej targetu C.

EN

This work presents the results of complementary use of XRD and XAS for the characterisation of thin Ti-Si-C films deposited via high temperature magnetron sputtering onto sapphire (00.1) substrates using elemental Ti, Si and C targets. The XRD studies showed a strong dependence of the phase composition of the films on the powers fed to the individual targets during deposition. The XAS studies enabled to determine the local atomic order in Ti neighbourhood and differences in averaged atomic order in function of power fed as compared to a Ti₃SiC₂ model. Two sample sets were fabricated, one with a relatively high power fed to the Si target and a medium power fed to the C target and the second where a relatively low power was fed to the Si target and a high one to the C target.

2

Wyznaczanie faz powstających w trakcie procesów technologicznych nanoszenia warstw Ti-Si-C na szafir

Ławniczak-Jabłońska K., Klepka M. T., Wolska A., Dynowska E., Borysiewicz M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 9

78-81

PL

Ze względu na swoje wyjątkowe właściwości fizyczne, takie jak odporność na działanie wysokiej temperatury i stabilność chemiczną oraz wysokie przewodnictwo elektryczne i cieplne, potrójne związki należące do tzw. grupy faz MAX, a w szczególności faza Ti₃SiC₂, są obiecujące do zastosowań w metalizacjach do przyrządów półprzewodnikowych na bazie azotków grupy III. Większość prac dotycząca wytwarzania związków MAX obejmuje syntezę wysokotemperaturową kryształów objętościowych z proszków. Stosunkowo niedawno pojawiły się doniesienia o osadzaniu cienkich warstw faz MAX metodami PVD, w szczególności na drodze magnetronowego rozpylania katodowego. W prezentowanej pracy przedstawiono wyniki badań nad wpływem zawartości węgla w warstwie buforowej TiC na strukturę krystaliczną osadzanej na niej warstwy Ti-Si-C dla warstw otrzymywanych techniką magnetronowego rozpylania katodowego z targelów Ti, C oraz Ti-Si-C. Badania prowadzone były z wykorzystaniem techniki absorpcji promieniowania synchrotronowego (XAS) oraz dyfrakcji promieniowania rentgenowskiego (XRD).

EN

Due to the unique combination of metallic electro-thermal conductivity and resistance to oxidation and thermal stability, the ternary compounds belonging to MAX phases, in particular Ti₃SiC₂, phase are promising as the materials potentially applicable for the metallisations in electronic devices based on the semiconductors III-N. The most of the paper devoted to producing MAX compounds is concerning on the synthesis of bulk compounds from powders. Only recently have been reported on thin layers growth of the MAX phases applying PVD method in particular by means of high-temperature magnetron sputtering. In the presented paper the results of studies of the influence of C contents in the buffer layer of TiC on the crystal structure of Ti-Si-C layer grown at this buffer are reported. The studies were performed for layers grown by the high-temperature magnetron sputtering from Ti, C and Ti-Si-C targets. The characterization of layers was done by X-ray absorption (XAS) and X-ray diffraction methods (XRD).

3

A comparison between MD- and EXAFS-extracted structural data for ternary RbBrl – xIx

Bosko J., Rybicki J., Witkowska A., Principi E.

Computational Methods in Science and Technology

|

2002

|

Vol. 8, nr 2

7--12

EN

The structure of ternary salts of the composition RbBr1-xIx, x = 0.0, 0.1, 0.2, 0.4, 0.6, 0.8, 0.9 and 1.0 is discussed. In particular, a comparison is made of the structural results obtained from an X-ray absorption spectroscopy (XAS) experiment and the corresponding data obtained in classical molecular dynamics (MD) simulations. In MD simulations, realized in the isobaric-isothermal (NpT) ensemble, the Dixon and Sangster's potential parameterisation (M. Dixon and M. J. L. Sangster, J. Phys. C: Solid State Phys., 9, 3381 (1976)) has been applied. The ability of the theoretical model of interatomic interaction to reproduce the structural properties observed in the EXAFS experiment is critically discussed.

4

GNXAS: a software package for advanced EXAFS multiple-scattering calculations and data-analysis

Filipponi A., Di Cicco A.

TASK Quarterly : scientific bulletin of Academic Computer Centre in Gdansk

|

2000

|

Vol. 4, No 4

575-669

EN

Computational and theoretical advances for the interpretation of the X-ray absorption spectroscopy (XAS) cross-section, and associated extended X-ray absorption fine structure (EXAFS) are the basis of an advanced software package for EXAFS data analysis, called GNXAS. This software package is composed of a series of FORTRAN programs for EXAFS data-analysis (including the main codes crymol, phagen, gnpeak, gnxas, and fitheo) together with several utility programs for sample optimization, automatic background subtraction, and edge analysis. The GNXAS package allows scientists to perform accurate multiple-scattering EXAFS calculations of the XAS cross-section achieving a reliable refinement of the structural models in the short-range. These characteristics are useful for taking full advantage of the high data quality obtained at modern synchrotron radiation facilities. The philosophy, methodology, and practical usage aspects of the main data-analysis codes are described in detail. The procedures for the estimation of statistical errors and for the data analysis of liquids and highly disordered systems are also discussed. A useful list of references on the development of the method and applications to various scientific fields is included. The content of the paper can be regarded as a full documentation and guide for proper usage of the current version of the GNXAS software.