Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: VLSI circuit

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

The modeling of thermal and electrothermal phenomenon in power semiconductor and VLSI circuits

Kamiński M.

Zeszyty Naukowe. Elektryka / Politechnika Łódzka

2007

z. 111

37-46

In the paper a principle of improving the methodology of ordering equations in thermal problems and designing a simulator of electrothermal phenomenon has been presented.

Głównymi zadaniami pracy było opracowanie metod przyspieszających rozwiązywanie równania przewodnictwa ciepła z wykorzystaniem metody różnic skończonych i napisanie dwóch symulatorów zjawisk elektrotermicznych odpowiednio dla przyrządów półprzewodnikowych mocy i dla układów scalonych. Autor zaproponował dwa algorytmy porządkowania układu równań liniowych o podobnej skuteczności jak metoda prawie optymalna (minimum degree) ale działające w znacząco krótszym czasie. Przedstawiono również sposoby przyspieszenia obliczeń w przypadku uwzględniania w modelu termicznym nieliniowych warunków brzegowych. W drugiej części pracy autor zaprojektował dwa symulatory elektrotermiczne: MOPS + TULSOFT i DUET. W pierwszym symulatorze zastosowano autorską koncepcję łączenia dwuwymiarowego symulatora zjawisk elektrycznych z trójwymiarowym symulatorem zjawisk termicznych. W symulatorze DUET najważniejszym elementem jest zastosowanie ekstraktora schematu elektrycznego również do generacji trójwymiarowego modelu termicznego w celu automatycznego uzyskania powiązanych modeli termicznego i elektrycznego na podstawie plików w formacie GDSII. Oba symulatory wykorzystano w analizie zjawisk elektrotermicznych w wybranych strukturach półprzewodnikowych: diodach PIN, tranzystorach IGBT i VDMOS, bramkach cyfrowych, zwierciadłach prądowych i wzmacniaczach operacyjnych.