Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!
Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: UV light emitting diode

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Numerical simulation of UV LED single quantum well based on AlGaN/GaN/AlGaN

Rahou Fatima Zahra

Przegląd Elektrotechniczny

2024

R. 100, nr 10

128--131

Optical sources such as light-emitting diodes (LEDs) are good solutions for creating more robust luminaires, with better conversion efficiency and more environmentally friendly. The objective of this work is to study and to simulate ultraviolet light-emitting diode with a single GaN quantum well sandwiched between two layers; respectively p-doped and n-doped AlGaN, using the SILVACO software. This simulation allowed us to extract different characteristics of the LED, such as the current-voltage (I-V) characteristic, the emitted light power, the spontaneous emission rate, radiative recombination, Auger recombination, Shockley-Read-Hall recombination, optical gain, luminous flux, spectral power density, overall efficiency. These simulations allowed us to extract the electrical and optical characteristics of the ultraviolet light-emitting diode with a single quantum well based on p-AlGaN/GaN/n-AlGaN and examine their performance.

Źródła optyczne, takie jak diody elektroluminescencyjne (LED), są dobrym rozwiązaniem do tworzenia bardziej wytrzymałych opraw oświetleniowych o lepszej wydajności konwersji i bardziej przyjaznych dla środowiska. Celem tej pracy jest zbadanie i symulacja diody elektroluminescencyjnej ultrafioletowej z pojedynczą studnią kwantową GaN umieszczoną pomiędzy dwiema warstwami; odpowiednio p-doped i ndoped AlGaN, przy użyciu oprogramowania SILVACO. Ta symulacja pozwoliła nam wyodrębnić różne charakterystyki diody LED, takie jak charakterystyka prądowo-napięciowa (I-V), moc emitowanego światła, szybkość emisji spontanicznej, rekombinacja radiacyjna, rekombinacja Augera, rekombinacja Shockleya-Reada-Halla, wzmocnienie optyczne, strumień świetlny, gęstość widmowa mocy, ogólna wydajność. Te symulacje pozwoliły nam wyodrębnić charakterystyki elektryczne i optyczne diody elektroluminescencyjnej ultrafioletowej z pojedynczą studnią kwantową opartą na p-AlGaN/GaN/n-AlGaN i zbadać ich wydajność.