PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 12

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  UV detectors
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Metodyka selekcji detektorów UV do zastosowań specjalnych
Ćwirko J., Ćwirko R.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2013
|
R. 89, nr 9
75-78
PL
Artykuł przedstawia metodykę selekcji i charakteryzacji detektorów UV do celów specjalnych. Detektory, które stanowią najczęściej tylko kilka procent całkowitego kosztu urządzenia do detekcji promieniowania UV, decydują głównie o jego parametrach. Procedury charakteryzacji powinny umożliwiać uzyskanie dodatkowych, pozakatalogowych informacji z punktu widzenia wymagań eksploatacji sprzętu wojskowego w ekstremalnych warunkach.
EN
The article presents the methodology the selection and characterization of UV detectors for specific purposes. Detectors, which are mostly only a few percent of the total cost of equipment for the detection of UV radiation, are mainly about his parameters. Characterization procedures should make it possible to obtain additional information from the point of view of the requirements of the operation of military equipment under extreme conditions.
2
Content available remote Badania długoczasowe detektorów UV
Ćwirko J., Ćwirko R.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2013
|
R. 89, nr 9
79-82
PL
Przy wyborze detektorów UV do konkretnej aplikacji należy uwzględnić, że ich parametry optyczne i elektryczne mogą się zmieniać w znacznym stopniu podczas eksploatacji, w wyniku zachodzenia w ich strukturze różnorodnych procesów degradacyjnych. Najczęstszymi źródłami tych procesów są długoczasowe poddawania struktury półprzewodnikowej detektora UV wpływowi silnego promieniowania termicznego lub/i optycznego.
EN
In the selection of the UV detector to a particular application should be considered that the optical and electrical parameters may vary considerably during operation due to the overlap in the composition of a variety of degradative processes. The most common sources of these processes are long-term semiconductor structures subjected UV detector strong influence of thermal radiation and / or optical.
3
Content available remote Fast UV detection and hydrogen sensing by ZnO nanorod arrays grown on a flexible Kapton tape
Hassan J. J., Mahdi M. A., Kasim S. J., Ahmed N. M., Hassan H. A., Hassan Z.
Materials Science Poland
|
2013
|
Vol. 31, No. 2
180--185
EN
ZnO nanorod arrays were grown on a flexible Kapton tape using microwave-assisted chemical bath deposition. High crystalline properties of the produced nanorods were proven by X-ray diffraction patterns and field emission scanning electron microscopy. Additionally, the photoluminescence spectrum showed higher UV peaks compared with visible peaks, which indicates that the ZnO nanorods had high quality and low number of defects. The metal-semiconductor-metal (MSM) configuration was used to fabricate UV and hydrogen gas detectors based on the ZnO nanorods grown on a flexible Kapton tape. Upon exposure to 395 nm UV light, the UV device exhibited fast response and decay times of 37 ms and 44 ms, respectively, at a bias voltage of 30 V. The relative sensitivities of the gas sensor made of the ZnO nanorod arrays, at hydrogen concentration of 2 %, at room temperature, 150 C, are 0.42, 1.4 and 1.75 respectively.
4
Content available Koncepcja selekcji detektorów UV do zastosowań specjalnych
Ćwirko J., Ćwirko R.
TTS Technika Transportu Szynowego
|
2012
|
R. 19, nr 9
1169--1175, CD
PL
Detektory UV są stosowane w pracach badawczych, przemyśle i aplikacjach wojskowych oraz w systemach bezpieczeństwa. Przedstawiono koncepcję selekcji detektorów UV do zastosowań specjalnych. Proponowane procedury charakteryzacji detektorów UV umożliwiają uzyskanie dodatkowych, pozakatalogowych informacji z punktu widzenia wymagań eksploatacji sprzętu w warunkach ekstremalnych. Rozwiązanie takie jest niezbędne przy praktycznej realizacji koncepcji stosowania w sprzęcie specjalnym komercyjnie dostępnych podzespołów elektronicznych i optoelektronicznych. W artykule przedstawiono przykładowe badania nad zaleznością charakterystyk detektorów UV, wykonanych z GaN i TiO2, od długotrwałego wygrzewania w podwyższonej temperaturze.
EN
UV detectors are applied in research works, the industry and applications of military and in security systems. A conception of selection of UV detectors was presented for special applications. Proposed procedures enable the make-up of UV detectors to get additional, outside catalogue of information from the point of seeing requirements of the use of the equipment in extreme conditions. Such a solution is essential at the practical realization of the concept of applying available electronic components commercially in the special equipment and optoelectronic. In the article a model research on the relation of spectrum characterizations of UV detectors, made from GaN and TiO2, from longterm warming up in the high temperature was described.
5
Content available remote Badania półprzewodnikowych detektorów promieniowania optycznego
Ćwirko J., Ćwirko R.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2011
|
R. 87, nr 9a
166-171
PL
Detektory UV, VIS i NIR są używane w pracach badawczych, przemyśle i aplikacjach wojskowych. Prezentowany w artykule system pomiarowy jest przeznaczony głównie do wysokotemperaturowych pomiarów charakterystyk widmowych detektorów. Pomiary detektorów zostały przeprowadzone w zakresie od temperatury otoczenia do 200 (stopni)C.
EN
UV, VIS ad NIR detectors are used in scientific research and industrial and military applications. Measurement system used for spectral characteristic high-temperature measurements of UV, VIS and NIR is presented in the paper. Measurement can be carried from ambient temperature to 200oC.
6
Content available remote Badania detektorów promieniowania optycznego w szerokim zakresie temperatury
Ćwirko J., Ćwirko R.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2009
|
R. 85, nr 11
83-86
PL
Praca jest poświecona badaniom detektorów promieniowania optycznego. Detektory IR, VIS i UV są szeroko stosowane w badaniach naukowych, w różnych dziedzinach przemysłu oraz w zastosowaniach militarnych. Detektory promieniowania optycznego optyczne możemy podzielić na detektory termiczne i fotonowe. W pracy przedstawiono system pomiarowy do charakteryzacji elektrycznej i optycznej detektorów półprzewodnikowych w szerokim zakresie temperatury. W artykule przedstawiono również przykładowe wyniki pomiarów.
EN
The work is aimed on measurements of optical radiation detectors. IR, VIS and UV detectors are used in scientific research, industrial, and military applications. UV detectors are classified as either photon or thermal detectors, depending on the mechanism of detection. In this paper is presented measurement system for electric and optical characterization semiconductor photodetectors in wide range temperature. In this paper are presented selected measurement results, too.
7
Content available remote Surface photocurrent nonuniformities in MSM detectors fabricated in gallium nitride heteroepitaxial layers
Szyszka A., Paszkiewicz B., Paszkiewicz R., Tłaczała M.
Optica Applicata
|
2009
|
Vol. 39, nr 4
723-728
EN
A correlation of surface potential maps and photocurrent distribution images in metal-semiconductor-metal (MSM) structures allows to notice spatial nonuniformities in detector principle of operation. This effect exists only for low frequency modulation of optical excitation. This phenomenon was explained by the inhomogeneity of potential barriers and surface states density in heteroepitaxial gallium nitride layers caused by their columnar structure.
8
Content available System do pomiarów charakterystyk widmowych detektorów promieniowania optycznego w szerokim zakresie temperatury
Ćwirko R., Ćwirko J.
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
|
2009
|
Vol. 58, nr 2
407-417
PL
W artykule przedstawiono zaprojektowany i wykonany w Wojskowej Akademii Technicznej (WAT) system do pomiarów charakterystyk widmowych detektorów promieniowania optycznego UV, VIS i IR w szerokim zakresie temperatury od 10 K do 450 K. System pomiarowy umożliwia także badanie wpływu temperatury na charakterystyki szumowe detektorów.
EN
The paper presents an integrated system, developed at the Military University of Technology (MUT), used for measurements of spectral characteristic of UV, VIS, and IR detectors. The setup provides also the possibility of noise measurements in a wide temperature range - from 10 K to 450 K.
9
Content available remote Low-frequency noises as a tool for UV detector characterisation
Ćwirko R., Bielecki Z., Ćwirko J., Dobrzański L.
Opto-Electronics Review
|
2006
|
Vol. 14, No. 2
155-160
EN
Ultraviolet (UV) semiconductor detectors are mainly made of materials with wide energy gap, i.e., of AlGaN, GaP, SiC, and diamond. The article describes methodology of measurements of characteristics of low-frequency noises of UV detectors and presents the developed measuring system. Basing on analysis of noise characteristics of detectors, an optimal working point of detector can be determined. The results of measurements of noise characteristics of UV detectors made of AlGaN are shown. The measurements have been carried out in wide range of temperatures for several values of a detector supply voltage.
10
Detektor ultrafioletu z węglika krzemu
Dobrzański J., Grasza K.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2006
|
Vol. 47, nr 9
20-5
PL
Opisano konstrukcję i technologię pierwszych polskich detektorów ultrafioletu wykonanych na monokrystalicznym węgliku krzemu. Kryształy SiC wyhodowano we własnym laboratorium metodą sublimacyjną. Detektory są diodami Schottky'ego z półprzeźroczystą metalizacją bariery. Diody wykazują bardzo dobre charakterystyki I(V) oraz czułość prądową w zakresie od 0,06 A/W do 0,08 A/W.
EN
We report on development of the SiC UV detector made on a single crystal without epitaxial layers. SiC Crystal was grown in our lab using PVT (Physical Vapor Transport) method. Next we deposit ohmic metal on a whole wafer and annealed it. Schotttky semitransparent metallization was deposited on an opposite side of wafer. Diodes exhibit good I(V) characteristics and a peak responsivity from 0.06 to 0.08 A/W.
11
Content available Pomiary charakterystyk szumowych jako narzędzie diagnostyczne detektorów UV
Ćwirko J., Ćwirko R.
Diagnostyka
|
2006
|
nr 4(40)
199-202
PL
W artykule przedstawiono zastosowanie analizy niskoczęstotliwościowych charakterystyk szumowych do diagnostyki detektorów UV. Ze względu na zakres widmowy detektory UV są wykonywane z materiałów o szerokiej przerwie zabronionej, głównie z GaN, AlN, SiC. Detektory UV są głównie stosowane w automatyce przemysłowej, robotyce, medycynie, systemach ochrony środowiska i technologiach militarnych. Charakterystyki szumowe detektorów były mierzone w szerokim zakresie temperatury (80 K - 350 K) oraz w funkcji napięcia polaryzacji. Analiza charakterystyk szumowych umożliwia wybranie optymalnego punktu pracy detektora ze względu na stosunek sygnału użytecznego do szumu oraz pozwala prognozować jego niezawodność.
EN
The work is aimed on analyze the low frequency noise characteristics of UV detectors. UV detectors are manufactured from wide band gap materials as GaN, AlGaN, SiC. The most important fields of UV detectors applications are industrial automation, robotics, space technology, medicine, military technology and solar ultraviolet measurements. The noise characteristics of UV detectors were measurement in wide temperature range (from 80 K to 350 K) and as function of polarization. The investigation results should be allowed to optimize the UV detection system providing maximal value of signal-to-noise ratio, selection of the optimal working point and estimate reliability of detectors UV.
12
Content available remote UV detectors and focal plane array imagerss based on AlGaN p-i-n photodiodes
Long J. P., Varadaraajan J., Matthews J., Schetzina J. F.
Opto-Electronics Review
|
2002
|
Vol. 10, No. 4
251-260
EN
The successful development of both discrete UV photodiodes and large-format UV imaging arrays consisting of 128x128 and 320x256 AlGaN p-i-n photodiodes is reported. Detectors and detector arrays have been succesfully developed to sense radiation in the 300-365 nm visible-blind and 240-285 nm solar-blind portions of the UV spectral region. Details of the device synthesis and processing are discussed, including flip-chip bonding procedures employed to mate the UV photodiode arrays to silicon read - out integrated circuits (ROICs). A selection of UV images obtained using these new large-format UV digital imagers is in included.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.