Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Przegląd Elektrotechniczny

1 2024

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: TSEP

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Considerations on SiC MOSFET TSEP-based junction temperature measurement routines in practical use

Bąba Sebastian, Palesa Grzegorz, Wiśniewski Jarosław, Mańka Filip

Przegląd Elektrotechniczny

2024

R. 100, nr 5

31--37

Despite being discussed in multiple papers, practical implementation of TSEP-based junction temperature measurement method for SiC MOSFETs causes significant challenges, especially when used in real-life power converters. Challenges which are not usually considered in conference nor journal pares are related to applicability, repeatability and accuracy, especially in comparison to other well-established techniques. To fill this gap in the state of the art, various test routines for junction temperature estimation based on SiC MOSFET on-state channel resistance measurement were compared.

Pomimo omawiania tematu pomiaru temperatury złącza tranzystorów SiC MOSFET w oparciu o ich parametry elektryczne w wielu artykułach, pomiar ten dalej nastręcza wielu trudności - w szczególności przy wykorzystaniu w rzeczywistych przekształtnikach energoelektronicznych. Wyzwania, które z reguły są pomijane w artykułach badawczych dotyczą wykonywalności, powtarzalności i dokładności pomiaru, w szczególności przy porównianiu do innych dobrze znanych metod pomiaru. Aby wypełnić tę lukę, porównano różne sposoby estymacji temperatury złącza w oparciu o pomiar rezystancji kanału tranzystora SiC MOSFET.