Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: TMAH

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Otrzymywanie i charakterystyka wodnych zawiesin węglika krzemu przeznaczonych do wytwarzania wyrobów metodą odlewania

Gnyla Joanna, Gubernat Agnieszka, Zych Łukasz, Lach Radosław, Zientara Dariusz

Szkło i Ceramika

2019

R. 70, nr 3

10--15

W pracy przedstawiono wyniki badań właściwości zawiesin o 30% udziale objętościowym fazy stałej, którą stanowiły proszki: SiC, Al2O3 i Y2O3 w funkcji dodatku upłynniaczy, tj. TMAH i NaOH w ilości od 0,0 do 1,0% mas. w przeliczeniu na masę fazy stałej. Na podstawie wyznaczonych krzywych lepkości i szybkości sedymentacji stwierdzono, że optymalna ilość upłynniaczy wynosi 0,4–0,6% mas. Wówczas zawiesiny wykazują pH z zakresu 10–11, a wartość potencjału dzeta cząstek gwarantuje ich stabilizację. Uzyskane wyniki badań dały podstawy do zaproponowania elektrostatycznego mechanizmu stabilizacji zawiesin przez oba upłynniacze. Do zawiesin wprowadzono dodatki tlenkowe i spoiwo, a następnie uformowano z nich wyroby (tygle) techniką odlewania. Celem wprowadzenia dodatków tlenkowych było aktywowanie spiekania węglika krzemu. Aktywatorami spiekania była mieszanina tlenków glinu i itru w stosunku masowym 3:2 i w ilości 10% mas. Jako dodatek ułatwiający formowanie zastosowano spoiwo akrylowe w ilości 0,5, 2, 5 i 10% mas. w odniesieniu do masy proszku SiC. Wyroby spiekano w temperaturze 2050 i 2150°C. Wytworzono w ten sposób materiały SiC o wysokiej gęstości i jednorodnej mikrostrukturze.

The paper presents the results of investigations on the properties of suspensions with 30% volume fraction of solid phase which consisted of SiC, Al2O3 and Y2O3 powders as a function of dispersing agents i.e. TMAH and NaOH additive in the amount from 0.0 to 1.0 wt. % calculated on the basis of the solid phase mass. Based on the determined viscosity curves and sedimentation rate measurements, the optimum amount of dispersing agents was found to be 0.4–0.6 wt. %. The suspensions showed pH from the range 10–11 and the value of the zeta potential of particles guaranteed their stabilization. The obtained results gave rise to the proposal of an electrostatic mechanism of stabilization of the suspensions by both dispersing agents. Oxide additives and binders were added to the suspensions and then the products (crucibles) were formed using the slip casting technique. The purpose of introducing the oxide additives was to activate sintering of silicon carbide. The sintering activators were a mixture of aluminium and yttrium oxides in a mass ratio of 3:2 and in the amount of 10% by weight. Acrylic binder in the amount of 0,5, 2, 5 and 10 wt. % was used as an additive facilitating the formation of SiC powder. The products were sintered at 2050 and 2150°C. SiC materials of high density and homogeneous microstructure were produced in this way.

TMAH texturisation and etching of interdigitated back contacts solar cells

Papet P., Nichiporuk O., Fave A., Kaminski A., Bazer-Bachi B., Lemiti M.

Materials Science Poland

2006

Vol. 24, No. 4

1043--1049

In order to decrease reflectivity of silicon solar cells, NaOH or KOH texturisations are usually used leading to a pyramidal structure. However, these solutions are toxic and pollutant. Effectively, K+ or Na+ ions contaminate the passivation layer (SiO2 or SiN) deposited on the surface of the cell after texturisation. An alternative to KOH and NaOH texturisation is tetramethyl ammonium hydroxyde (CH3)4NOH) (TMAH). TMAH is not pollutant, not toxic and its use leads also to a pyramidal structure. Moreover, the etching rate and surface morphology can be controlled by the concentration of the solution, temperature and the addition of surfactant. Moreover, TMAH is selective with dielectrics and metals. It can therefore be used to produce self-aligned interdigitated back-contact solar cells (IBC). In this work, we have analysed the surface morphology and reflectivity after texturisation in TMAH in various experimental conditions. We have tested the possibility to use selective etching of the emitter of a back-contact solar cell by protecting the surface of the emitter with a metal grid. This new process permits to reduce the number of lithographic steps necessary to produce IBC solar cells.