Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Symulacje cienkowarstwowych tranzystorów polowych z kanałem z amorficznego In-Ga-Zn-O

Grochowski J., Kaczmarski J., Taube A., Kamińska E., Piotrowska A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2014

|

Vol. 55, nr 9

20-23

PL

W pierwszej części niniejszego opracowania, prezentujemy przegląd stanu wiedzy w dziedzinie symulacji tranzystorów cienkowarstwowych z kanałem z amorficznego In-Ga-Zn-O oraz wyniki naszych badań w tej materii. Symulacje numeryczne mogą być stosowane do przewidywania parametrów elektrycznych zaprojektowanych struktur TFT przed wytworzeniem rzeczywistych przyrządów. Seria czasochłonnych procesów technologicznych może być zastąpiona przez symulacje komputerowe mające na celu określenie takich parametrów fizycznych materiału, które zagwarantują uzyskanie pożądanych właściwości tranzystora TFT. W niniejszej pracy prezentujemy ponadto wyniki obliczeń numerycznych dotyczących wpływu grubości dielektryka oraz wymiarów geometrycznych kanału. Symulacje numeryczne mogą służyć jako dodatkowe narzędzie charakteryzacji materiałów i przyrządów, gdyż pozwalają na wizualizację wielkości fizycznych trudnych do zmierzenia. Są to między innymi rozkład koncentracji nośników ładunku w kanale TFT lub gęstości stanów w przerwie energetycznej półprzewodnika tlenkowego. W niniejszej pracy prezentujemy proces i wyniki podejścia łączącego metody analityczne i symulacje numeryczne, pozwalającego na ekstrakcję krzywej gęstości stanów (DoS) w funkcji energii.

EN

In this work we present an overview of various methods for amorphous In-Ga-Zn-O (a-IGZO) thin-film transistors (TFTs) simulations. We will also discuss limiting factors of their usability as well as the challenges which should be overcome to make progress. We give a description of the state of-the art in the area and present our recent results. We will present our results of effects of physical structure parameters such as channel thickness and dimensions on electrical I-V transfer characteristics. Secondly, numerical simulations may serve as additional characterisation tool, as they make it possible to extract physical quantities that are difficult to measure, such as density of states within semiconductor bandgap. These advantages mean that increased use of device simulation is expected for efficient development of a-IGZO TFTs. We will present a process of combined analytical and numerical simulation approach to the extraction of density of states (DoS) versus energy curve.

2

Technologia i charakteryzacja struktur tranzystorów cienkowarstwowych (TFT)

Krysiński A., Taube A., Gołaszewska K., Śmietana M., Mroczyński R., Szmidt J.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2012

|

R. 88, nr 11b

1-4

PL

W niniejszej pracy przedstawiono wyniki prób opracowania technologii struktur tranzystorów cienkowarstwowych (TFT) opartych o warstwy wytwarzane metodą chemicznego osadzania z fazy lotnej wspomaganego plazmą (PECVD). Do najważniejszych zadań tej pracy należał wybór optymalnego procesu osadzania warstw dielektryka bramkowego oraz półprzewodnika amorficznego. Funkcje tych warstw pełniły, odpowiednio, warstwy tlenko-azotku krzemu (SiOxNy) oraz amorficznego krzemu (a-Si). Uzyskane wyniki charakteryzacji elektrycznej pierwszej serii wykonanych struktur testowych TFT pokazały duże możliwości opracowanej w IMiO PW technologii. Uzyskano napięcia progowe gotowych struktur tranzystorowych na poziomie UTH ~ 3 V, natomiast nachylenie charakterystyki prądowo-napięciowej w zakresie przedprogowym wyniosło SS ~ 400 mV/dec, co jest jednym z najlepszych wyników spotykanych w literaturze.

EN

In this study there are presented, the results of tries attempts of thin-film transistors (TFT) technology development based on layers fabricated by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD). In the course of this work the optimization of gate dielectric, as well as amorphous semiconductor layer deposition was one of the most important task. Silicon oxynitride (SiOxNy) and amorphous silicon (a-Si), respectively, were used as those layers. The first results obtained from the analysis of electrical characteristics of fabricated TFT test structures have demonstrated a great promise of the optimized at IMiO PW technology. The threshold voltage UTH~3V and subthreshold swing SS ~ 400mV/dec values were obtained, which are ones of the best results found in literature.

3

Small size OLED display and TFT LCD applications in low power, portable medical devices - power consumption and usability

Maniura R., Drewniok L., Stasiak M.

Journal of Medical Informatics & Technologies

|

2012

|

Vol. 19

141--146

EN

Modern medical devices are very complex, they must show many different kind of information, from ordinary digital values to sophisticated graphical data. Medical devices have to do it in an understandable way to avoid dangerous mistakes. There are several different ways to present the information. The most appropriate is to use display, in this case the best choice would be the color graphical display. Such kind of display allows many different data to be presented clearly and makes possibilities to create an very intuitive user friendly interface, avoiding misinformation. In portable devices this kind of data presentation is great advantage but we need to take under consideration low power consumption. Additionally, in medical portable devices very important aspects are power source operation time prediction possibility and power consumption stability. To achieve this we need to use displays which have well defined power characteristics, because in portable applications, color displays are often most power consuming parts.

4

Tranzystory TFT z amorficznego GaN otrzymane na powierzchni krzemowej lub kwarcowej z metalizowanym wzorem

Jagoda A., Stańczyk B., Dobrzański L., Rojek A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2008

|

Vol. 49, nr 1

64-66

PL

Badano tranzystory TFT z polikrystalicznego GaN otrzymanego metodą reaktywnego sputteringu, osadzonych na płaskich periodycznych obszarach (nazwanych tarasami). Opracowano metodę pokrywania podłoży warstwami izolatora, półprzewodnika i kontaktów z metalu w jednym procesie technologicznym (bez zapowietrzenia próżniowej komory), a następnie odkrywano dostęp do odpowiednich kontaktów przez procesy trawienia. Porównano model dwóch tranzystorów: tranzystor tradycyjny TFT oraz tranzystor TFT zbudowany na wydzielonych obszarach tarasów. Stwierdzono polepszenie parametrów tranzystorów w modelu, w którym zastosowano specjalnie preparowane podłoża. W porównaniu z pracami S.Kobayashi uzyskano ok. 200 razy większą ruchliwość oraz wysoką wartość prądu źródło - dren ~10-6 przy bardzo małej wartości W/L=1.

EN

We have developed the technology of thin film (TFT) transistors founded on polycrystalline GaN. GaN layers were deposited in sputtering unit SCM450 from Alcatel using RF=13,5 MHz bias and the 6N gallium target in the atmosphere of argon and nitrogen. Layers were deposited on Si and quartz substrates with etched grooves and steps of different dimensions 1µm-2µm, 1µm-3µm, 2µm-3µm. The TFT structure was built in the following arrangement gate (Cr), isolation (SiO2), thin film GaN, drain-source contacts (Ti Al). The TFT structure was deposited in a single uninterrupted process in the following sequence insulation layer, GaN layer, source-drain contact. The drain source current as a function of drain-source voltage and the gate-source voltage dependence of drain-source current were measured. The basic TFT DC characteristics have been measured and compared to the results of S. Kobayashi and the others. We draw the conclusion the introduction of grooves and steps improves parameters of GaN.