Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: TDMAAs precursor

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Zjawiska fotoelektryczne w złożonych heterostruturach HgCdTe stosowanych w konstrukcjach niechłodzonych detektorów podczerwieni

Gawron W., Rogalski A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2011

Vol. 52, nr 10

28-31

Artykuł przedstawia wybrane wyniki prac badawczych nad udoskonaleniem konstrukcji niechłodzonych detektorów podczerwieni z warstw epiaksjalnych HgCdTe uzyskiwanych w technologii MOCVD na podłożu GaAs. Badania te zrealizowano w Instytucie Fizyki Technicznej Wojskowej Akademii Technicznej w ramach realizacji zadania nr 6 grantu zamawianego PBZ - MNiSW 02/I/2007.

The paper presents selected results of studies connected with development of uncooled HgCdTe infrared detectors fabricated using MOCVD epitaxial deposition on GaAs substrates. This paper has been done in Institute of Applied Physics Military University of Technology under financial support of the Polish Ministry of Sciences and Higher Education, Key Project PBZ - MNiSW 02/I/2007.

Control of acceptor doping in MOCVD HgCdTe epilayers

Madejczyk P., Piotrowski A., Kłos K., Gawron W., Rutkowski J., Rogalski A.

Opto-Electronics Review

2010

Vol. 18, No. 3

271-276

The acceptor doping of mercury cadmium telluride (HgCdTe) layers grown by MOCVD are investigated. (111)HgCdTe layers were grown on (100)GaAs substrates at 350°C using horizontal reactor and interdiffused multilayer process (IMP). TDMAAs and AsH3 were alternatively used as effective p-type doping precursors. Incorporation and activation rates of arsenic have been studied. Over a wide range of Hg₁₋xCdxTe compositions (0.17 < x < 0.4), arsenic doping concentration in the range from 5×10¹⁵ cm⁻³ to 5×10¹⁷ cm⁻³ was obtained without postgrowth annealing. The electrical and chemical properties of epitaxial layers are specified by measurements of SIMS profiles, Hall effect and minority carrier lifetimes. It is confirmed that the Auger-7 mechanism has decisive influence on carrier lifetime in p-type HgCdTe epilayers.