Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: SnO2 thin films

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Teoretyczna analiza adsorpcji tlenu na powierzchni ziaren SnO₂ o powierzchni płaskiej

Izydorczyk W.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2009

Vol. 50, nr 10

45-48

W pracy przedstawiono wyniki teoretycznej analizy wpływu adsorpcji tlenu na przewodnictwo nanowarstw SnO₂. W wyniku analitycznego rozwiązania jednowymiarowego równania Poissona-Boltzmanna dla próbki o skończonych wymiarach i płaskiej geometrii ziarna, otrzymano potencjał powierzchniowy dla całkowicie zubożonych warstw o grubości w zakresie 30..,500 nm. Na tej podstawie obliczono zależność energetycznej bariery potencjału od grubości warstwy. Zbadano wpływ ruchliwości oraz stopnia jonizacji donorów na stopień pokrycia powierzchni różnymi jonami tlenu. Obliczono profile głębokościowe koncentracji nośników, rozkład ruchliwych donorów oraz zbadano wpływ temperatury oraz ciśnienia cząstkowego tlenu na konduktancję nanowarstw SnO₂.

In this work, the results of theoretical analysis of the influence of surface oxidation on the conductance of SnO₂ nanofilms were presented. From the one-dimensional analytical solution of the Poisson-Boltzmann equation in the case of finite grains with slab geometry, the in-depth profiles of the potential V(r) were obtained for full depleted layers. On this basis, the surface energy barrier dependence on grain size (30...500 nm) was obtained. The effect of the donor mobility (oxygen vacancies in the bulk) and degree of donor ionization on coverages by oxygen ions was discussed. The in-depth profiles of carrier concentrations and distribution of donors were obtained. Furthermore, the influence of temperature and partial oxygen pressure on the SnO₂ nano-film per-square conductance was studied.

Computer analysis of oxygen adsorption at SnO2 thin films

Izydorczyk W., Adamowicz B.

Optica Applicata

2007

Vol. 37, nr 4

377-385

An influence of oxidation of SnO2 thin films on depletion layer electronic parameters and film conductance has been studied by means of computer simulations. The surface potential value and in-depth potential profiles in the depletion region have been obtained by solving the Poisson--Boltzmann equation in the case of grains with slab geometry and different doping. The SnO2 grain thickness was in the range from 20 to 500 nm. The surface coverage by oxygen ions (O2-, O-) as well as film conductance per square and its sensitivity versus temperature (from 300 to 900 K) have been rigorously calculated. The effect of donor (oxygen vacancies) mobility and degree of donor ionisation has been taken into account.