Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: SiOx

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Silicon oxides as alignment surfaces for vertically-aligned nematics in photonic devices

Oton E., López-Andrés S., Bennis N., Otón J. M., Geday M. A.

Opto-Electronics Review

2014

Vol. 22, No. 2

92-100

A comparative study on alignment performance and microstructure of inorganic layers used for liquid crystal cell conditioning has been carried out. The study has focused on two specific materials, SiOx and SiO₂, deposited under different conditions. The purpose was to establish a relationship between layer microstructure and liquid crystal alignment. The surface morphology has been studied by FESEM and AFM. An analysis on liquid crystal alignment, pretilt angle, response time, contrast ratio and the conditions to develop backflow effect (significant rise time increase due to pure homeotropic alignment) on vertically-aligned nematic cells has been carried out. A technique to overcome the presence of backflow has been identified. The full comparative study of SiOx and SiO₂ layer properties and their influence over liquid crystal alignment and electrooptic response is presented.

Badanie cienkich warstw nanoszonych metodą magnetronowego rozpylania krzemu w atmosferze Ar + O₂

Posadowski W. M., Chmiel Ł., Wiatrowski A., Krówka K.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2009

Vol. 50, nr 9

16-18

Badano proces reaktywnego, impulsowego, magnetronowego osadzania cienkich warstw krzemu w atmosferze mieszaniny argonu i tlenu. Rozpylano target Si o średnicy 50 mm przy różnych mocach i ciśnieniach parcjalnych tlenu. Mierzono szybkość osadzania warstw SiOx oraz tzw. moc krążącą - charakterystyczny parametr zasilacza impulsowego DORA. Na tej podstawie określano mody pracy reaktywnego rozpylania magnetronowego. Istotnym wynikiem badań było pokazanie możliwości wysokowydajnego osadzania cienkich warstw dielektrycznych w metalicznym trybie pracy magnetronu.

The pulsed reactive magnetron sputtering process in Ar + O₂ atmosphere was investigated. The silicon target of 50 mm in diameter was sputtered at different target powers and oxygen partial pressures. The deposition rate of SiOx films and 50 called circulating power were measured. On this basls the modes of magnetron reactive sputtering were described. The point of investigation was the SiOx films high efficiency deposition possibility at metallic mode of sputtering.